无锡固电半导体股份有限公司

9年

无锡固电半导体股份有限公司

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无锡固电ISC 供应三极管2SB945
无锡固电ISC 供应三极管2SB945
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无锡固电ISC 供应三极管2SB945

是否提供加工定制:

品牌/商标:

ISC

型号/规格:

2SB945

应用范围:

放大

材料:

硅(Si)

极性:

PNP型

结构:

平面型

封装形式:

直插型

封装材料:

塑料封装

产品信息

DESCRIPTION                                             

·Low Collector Saturation Voltage-

: VCE(sat)= -0.5V(Max)@IC= -4A

·Good Linearity of hFE

·Large Collector Current IC

·Complement to Type 2SD1270

 

 

APPLICATIONS

·Designed for power switching applications

 

 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Collector-Base Voltage                     

-130

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage                        

-80

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

-7

V

IC

Collector Current-Continuous

-5

A

ICM

Collector Current-Peak

-10

A

PC

Collector Power Dissipation

@ Ta=25

2

W

Collector Power Dissipation

@ TC=25

40

TJ

JunctionTemperature

150

Tstg

StorageTemperature Range

-55~150

 

 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

V(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

IC= -10mA ; IB= 0

-80

 

 

V

VCE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= -4A; IB= -0.2A

 

 

-0.5

V

VBE(sat)

Base-Emitter Saturation Voltage

IC= -4A; IB= -0.2A

 

 

-1.5

V

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB= -100V ; IE= 0

 

 

-10

μA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB= -5V ; IC= 0

 

 

-50

μA

hFE-1

DC Current Gain

IC= -0.1A ; VCE= -2V

45

 

 

 

hFE-2

DC Current Gain

IC= -2A ; VCE= -2V

90

 

260

 

fT

Current-Gain—Bandwidth Product

IC=-0.5A; VCE= -10V;ftest=10MHz

 

30

 

MHz

Switching times

ton

Turn-on Time

IC= -2.0A ,IB1= -IB2= -0.2A,

 

0.13

 

μs

tstg

Storage Time

 

0.5

 

μs

tf

Fall Time

 

0.13

 

μs

 

u hFE-2Classifications

Q

P

90-180

130-260