无锡固电ISC 供应2SA1943晶体管_无锡固电半导体股份有限公司

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传真：0510-85346300
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产品分类

优势库存(800)普通库存(70069)三极管(211)

场效应管MOSFET(6)

MOSFET(5)

可控硅IGBT(3)

单向可控硅(晶闸管)(2)

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无锡固电ISC 供应2SA1943晶体管

是否提供加工定制：

是

品牌/商标：

iscsemi/isc

型号/规格：

2SA1943

应用范围：

放大

材料：

硅(Si)

极性：

PNP型

集电极允许电流ICM：

-15（A）

集电极耗散功率PCM：

150（W）

截止频率fT：

30（MHz）

结构：

平面型

封装形式：

TO-3PL

询价

产品信息

TO-3PL三极管,有意者请联系！

DESCRIPTION

·High Current Capability

·High Power Dissipation

·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -230V(Min)

·Complement to Type 2SC5200

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

·Recommend for 100W high fidelity audio frequency amplifier

output stage applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)

SYMBOL	PARAMETER	VALUE	UNIT
V_CBO	Collector-Base Voltage	-230	V
V_CEO	Collector-Emitter Voltage	-230	V
V_EBO	Emitter-Base Voltage	-5	V
I_C	Collector Current-Continuous	-15	A
I_B	Base Current-Continuous	-1.5	A
P_C	Collector Power Dissipation @ T_C=25℃	150	W
T_J	JunctionTemperature	150	℃
T_stg	StorageTemperature Range	-55~150	℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

T_C=25℃unless otherwise specified

SYMBOL	PARAMETER	CONDITIONS	MIN	TYP.	MAX	UNIT
V_(BR)CEO	Collector-Emitter Breakdown Voltage	I_C= -50mA ; I_B= 0	-230			V
V_CE_(sat)	Collector-Emitter Saturation Voltage	I_C= -8.0A; I_B= -0.8A			-3.0	V
V_BE(_on₎	Base-Emitter On Voltage	I_C= -7A ; V_CE= -5V			-1.5	V
I_CBO	Collector Cutoff Current	V_CB= -230V ; I_E= 0			-5	μA
I_EBO	Emitter Cutoff Current	V_EB= -5V; I_C= 0			-5	μA
h_FE-1	DC Current Gain	I_C= -1A ; V_CE= -5V	55		160
h_FE-2	DC Current Gain	I_C= -7A ; V_CE= -5V	35
C_OB	Output Capacitance	I_E=0 ; V_CB= -10V;f= 1.0MHz		360		pF
f_T	Current-Gain—Bandwidth Product	I_C=-1A ; V_CE= -5V		30		MHz

u h_FE-1Classifications

R:55-95

R55	R60	R65	R70	R75	R80	R85	R90
55-60	60-65	65-70	70-75	75-80	80-85	85-90	90-95

O:95-160

O95	O100	O105	O110	O115	O120	O125
95-100	100-105	105-110	110-115	115-120	120-125	125-130

O130	O135	O140	O145	O150	O155
130-135	135-140	140-145	145-150	150-155	155-160

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