无锡固电ISC 供应2SB1163三极管_无锡固电半导体股份有限公司

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产品分类

优势库存(800)普通库存(70069)三极管(211)

场效应管MOSFET(6)

MOSFET(5)

可控硅IGBT(3)

单向可控硅(晶闸管)(2)

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无锡固电ISC 供应2SB1163三极管

是否提供加工定制：

是

品牌/商标：

ISC/ISCSEMI

型号/规格：

2SB1163

应用范围：

放大

材料：

硅(Si)

极性：

PNP型

集电极允许电流ICM：

15（A）

集电极耗散功率PCM：

150（W）

截止频率fT：

20（MHz）

结构：

面接触型

封装形式：

TO-3PL

封装材料：

玻璃封装

询价

产品信息

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -180V(Min)

·Good Linearity of h_FE

·Wide Area of Safe Operation

·Complement to Type 2SD1718

APPLICATIONS

·Designed for high power amplifier applications

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

T_C=25℃unless otherwise specified

SYMBOL	PARAMETER	CONDITIONS	MIN	TYP.	MAX	UNIT
V_CE_(sat)	Collector-Emitter Saturation Voltage	I_C= -10A; I_B= -1A			-2.5	V
V_BE_(on)	Base-Emitter On Voltage	I_C= -8A; V_CE= -5V			-1.8	V
I_CBO	Collector Cutoff Current	V_CB= -180V; I_E= 0			-50	μA
I_EBO	Emitter Cutoff Current	V_EB= -3V; I_C= 0			-50	μA
h_FE-1	DC Current Gain	I_C= -20mA; V_CE= -5V	20
h_FE-2	DC Current Gain	I_C= -1A; V_CE= -5V	60		200
h_FE-3	DC Current Gain	I_C= -8A; V_CE= -5V	20
C_OB	Output Capacitance	I_E= 0; V_CB= -10V; f_test= 1.0MHz		230		pF
f_T	Current-Gain—Bandwidth Product	I_C= -0.5A; V_CE= -5V		20		MHz

u h_FE-2Classifications

Q	S	P
60-120	80-160	100-200

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