无锡固电ISC 供应三极管2SA882_无锡固电半导体股份有限公司

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产品分类

优势库存(800)普通库存(70069)三极管(211)

场效应管MOSFET(6)

MOSFET(5)

可控硅IGBT(3)

单向可控硅(晶闸管)(2)

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无锡固电ISC 供应三极管2SA882

是否提供加工定制：

是

品牌/商标：

ISC

型号/规格：

2SA882

应用范围：

放大

材料：

硅(Si)

极性：

PNP型

结构：

平面型

封装形式：

直插型

封装材料：

金属封装

询价

产品信息

DESCRIPTION

·High Power Dissipation-

: P_C= 100W(Max.)@T_C=25℃

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -130V(Min.)

APPLICATIONS

·Designed for power and switching applications.

Absolute maximum ratings(T_a=25℃)

SYMBOL	PARAMETER	VALUE	UNIT
V_CBO	Collector-Base Voltage	-130	V
V_CEO	Collector-Emitter Voltage	-130	V
V_EBO	Emitter-Base Voltage	-5	V
I_C	Collector Current-Continuous	-7	A
P_C	Collector Power Dissipation @T_C=25℃	100	W
T_j	Junction Temperature	150	℃
T_stg	Storage Temperature	-65~200	℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Tj=25℃unless otherwise specified

SYMBOL	PARAMETER	CONDITIONS	MIN	TYP.	MAX	UNIT
V_(BR)CEO	Collector-Emitter Breakdown Voltage	I_C= -30mA; I_B= 0	-130			V
V_CE_(sat)-1	Collector-Emitter Saturation Voltage	I_C= -3A; I_B= -0.3A			-1.0	V
V_CE_(sat)-2	Collector-Emitter Saturation Voltage	I_C= -7A; I_B= -1.5A			-3.0	V
V_BE_(on)	Base-Emitter On Voltage	I_C= -3A; V_CE= -4V			-1.6	V
I_CBO	Collector Cutoff Current	V_CB= -130V; I_E= 0			-0.1	mA
I_EBO	Emitter Cutoff Current	V_EB= -5V; I_C= 0			-0.1	mA
h_FE-1	DC Current Gain	I_C= -1A; V_CE= -4V	40
h_FE-2	DC Current Gain	I_C= -3A; V_CE= -4V	20

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