无锡固电ISC 供应2SA1040三极管_无锡固电半导体股份有限公司

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产品分类

优势库存(800)普通库存(70069)三极管(211)

场效应管MOSFET(6)

MOSFET(5)

可控硅IGBT(3)

单向可控硅(晶闸管)(2)

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无锡固电ISC 供应2SA1040三极管

是否提供加工定制：

是

品牌/商标：

ISC

型号/规格：

2SA1040

应用范围：

放大

材料：

硅(Si)

极性：

PNP型

结构：

平面型

封装形式：

直插型

封装材料：

金属封装

询价

产品信息

DESCRIPTION

·High Current Capability

·Good Linearity of h_FE

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -120V(Min.)

·Complement to Type 2SC2430

APPLICATIONS

·Designed for power switching , high frequency power

amplifer, switching regulator and DC/DC converters.

Absolute maximum ratings(T_a=25℃)

SYMBOL	PARAMETER	VALUE	UNIT
V_CBO	Collector-Base Voltage	-120	V
V_CEO	Collector-Emitter Voltage	-120	V
V_EBO	Emitter-Base Voltage	-5	V
I_C	Collector Current-Continuous	-10	A
P_C	Collector Power Dissipation @T_C=25℃	100	W
T_j	Junction Temperature	175	℃
T_stg	Storage Temperature	-55~175	℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Tj=25℃unless otherwise specified

SYMBOL	PARAMETER	CONDITIONS	MIN	TYP.	MAX	UNIT
V_(BR)CEO	Collector-Emitter Breakdown Voltage	I_C= -30mA; I_B= 0	-120			V
V_(BR)CBO	Collector-Base Breakdown Voltage	I_C= -1mA; I_E= 0	-120			V
V_(BR)EBO	Emitter-Base Breakdown Voltage	I_E= -1mA; I_C= 0	-5			V
V_CE_(sat)	Collector-Emitter Saturation Voltage	I_C= -5A; I_B= -0.5A			-1.2	V
V_BE_(sat)	Base-Emitter Saturation Voltage	I_C= -5A; I_B= -0.5A			-1.8	V
I_CBO	Collector Cutoff Current	V_CB= -120V; I_E= 0			-50	μA
I_EBO	Emitter Cutoff Current	V_EB= -5V; I_C= 0			-50	μA
h_FE	DC Current Gain	I_C= -1A; V_CE= -5V	35		200
C_OB	Output Capacitance	I_E= 0; V_CB= -10V; f= 1.0MHz		350		pF
f_T	Current-Gain—Bandwidth Product	I_C= -1A; V_CE= -10V		60		MHz

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