无锡固电ISC供应达林顿功率晶体管T30F_无锡固电半导体股份有限公司

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优势库存(800)普通库存(70069)三极管(211)

场效应管MOSFET(6)

MOSFET(5)

可控硅IGBT(3)

单向可控硅(晶闸管)(2)

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无锡固电ISC供应达林顿功率晶体管T30F

是否提供加工定制：

是

品牌/商标：

ISC/ISCSEMI

型号/规格：

T30F

应用范围：

放大

材料：

硅(Si)

极性：

NPN型

集电极允许电流ICM：

10（A）

集电极耗散功率PCM：

80（W）

结构：

平面型

封装形式：

TO-220F

封装材料：

塑料封装

询价

产品信息

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 300V(Min)

·High DC Current Gain-

: h_FE= 1000V(Min.) @I_C= 3A

APPLICATIONS

·Switching for dynamotor excitation

·Audio, regulator and general purpose applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL	PARAMETER	VALUE	UNIT
V_CBO	Collector-Base Voltage	500	V
V_CEO	Collector-Emitter Voltage	300	V
V_EBO	Emitter-Base Voltage	5	V
I_C	Collector Current-Continuous	10	A
I_B	Base Current-Continuous	1	A
P_C	Collector Power Dissipation @ T_C=25℃	80	W
T_J	JunctionTemperature	150	℃
T_stg	StorageTemperature Range	-55~150	℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

T_C=25℃unless otherwise specified

SYMBOL	PARAMETER	CONDITIONS	MIN	TYP.	MAX	UNIT
V_(BR)CEO	Collector-Emitter Breakdown Voltage	I_C= 30mA; I_B= 0	300			V
V_(BR)CBO	Collector-BaseBreakdownVoltage	I_C= 1mA; I_E= 0	500			V
V_CE_(sat)	Collector-Emitter Saturation Voltage	I_C= 6A; I_B= 6mA			2.5	V
V_BE_(sat)	Base-Emitter Saturation Voltage	I_C= 6A; I_B= 6mA			3.0	V
I_CBO	Collector Cutoff Current	V_CB= 500V; I_E= 0			100	μA
I_EBO	Emitter Cutoff Current	V_EB= 5V; I_C= 0			100	μA
h_FE	DC Current Gain	I_C= 3A; V_CE= 2V	1000

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