无锡固电ISC 供应2SA764三极管_无锡固电半导体股份有限公司

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产品分类

优势库存(800)普通库存(70069)三极管(211)

场效应管MOSFET(6)

MOSFET(5)

可控硅IGBT(3)

单向可控硅(晶闸管)(2)

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无锡固电ISC 供应2SA764三极管

是否提供加工定制：

是

品牌/商标：

ISC

型号/规格：

2SA764

应用范围：

放大

材料：

硅(Si)

极性：

PNP型

结构：

平面型

封装形式：

直插型

封装材料：

金属封装

询价

产品信息

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -60V(Min)

·LowCollector Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 1.5V(Max.)@ I_C= 4A

·Complement to Type 2SC1444

APPLICATIONS

·Designed for general purpose power amplifier applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL	PARAMETER	VALUE	UNIT
V_CBO	Collector-Base Voltage	-60	V
V_CEO	Collector-Emitter Voltage	-60	V
V_EBO	Emitter-Base Voltage	-6	V
I_C	Collector Current-Continuous	-6	A
P_C	Total Power Dissipation @ T_C=25℃	40	W
T_J	JunctionTemperature	150	℃
T_stg	StorageTemperature Range	-55~150	℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

T_C=25℃unless otherwise specified

SYMBOL	PARAMETER	CONDITIONS	MIN	TYP.	MAX	UNIT
V_(BR)CEO	Collector-Emitter Breakdown Voltage	I_C= -10mA; I_B= 0	-60			V
V_(BR)CBO	Collector-BaseBreakdownVoltage	I_C= -1mA; I_E= 0	-60			V
V_CE_(sat)	Collector-Emitter Saturation Voltage	I_C= -4A; I_B= -0.4A			-1.5	V
V_BE_(sat)	Base-Emitter Saturation Voltage	I_C= -4A; I_B= -0.4A			-2.0	V
I_CBO	Collector Cutoff Current	V_CB= -60V; I_E= 0			-10	μA
I_EBO	Emitter Cutoff Current	V_EB= -6V; I_C= 0			-10	μA
h_FE	DC Current Gain	I_C= -1A; V_CE= -4V	50
f_T	Current-Gain—Bandwidth Product	I_C= -0.5A; V_CE= -12V		10		MHz

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