无锡固电半导体股份有限公司

9年

无锡固电半导体股份有限公司

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http://www.iscsemi.com

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无锡固电供应iscsemi品牌BU926三极管
无锡固电供应iscsemi品牌BU926三极管
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无锡固电供应iscsemi品牌BU926三极管

是否提供加工定制:

品牌/商标:

iscsemi

型号/规格:

BU926

应用范围:

放大

材料:

硅(Si)

极性:

NPN型

击穿电压VCBO:

400(V)

集电极允许电流ICM:

8(A)

集电极耗散功率PCM:

120(W)

截止频率fT:

4(MHz)

结构:

平面型

封装形式:

TO-3PN

产品信息

iscSilicon NPN Power Transistor 

DESCRIPTION                                             

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

  : VCEO(SUS)= 400V (Min)

·Low Saturation Voltage

  : VCE(sat)= 1.5V (Max)@IC= 5A

    

APPLICATIONS

·Designed for use in high-voltage , high-speed , power  

  switching in inductive circuit.

 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Base-Emitter Voltage                          

850

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage                         

400

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

7

V

IC

Collector Current- Continuous

8

A

ICM

Collector Current-Peak  

10

A

IB

Base Current- Continuous

2

A

PC

Collector Power Dissipation

@ TC=25

120

W

TJ

JunctionTemperature

150

Tstg

StorageTemperature Range

-65~150