无锡固电ISC 供应三极管BU323_无锡固电半导体股份有限公司

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产品分类

优势库存(800)普通库存(70069)三极管(211)

场效应管MOSFET(6)

MOSFET(5)

可控硅IGBT(3)

单向可控硅(晶闸管)(2)

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无锡固电ISC 供应三极管BU323

是否提供加工定制：

是

品牌/商标：

ISC

型号/规格：

BU323

应用范围：

放大

材料：

硅(Si)

极性：

NPN型

结构：

平面型

封装形式：

直插型

封装材料：

金属封装

询价

产品信息

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 350V(Min.)

·High Reliability

APPLICATIONS

·Automotive ignition

·Switching regulator

·Motor control applications

Absolute maximum ratings (T_a=25℃)

SYMBOL	PARAMETER	VALUE	UNIT
V_CBO	Collector-Base Voltage	500	V
V_CEO	Collector-Emitter Voltage	350	V
V_EBO	Emitter-Base Voltage	8	V
I_C	Collector Current- Continuous	10	A
I_CM	Collector Current-Peak	16	A
I_B	Base Current	3	A
P_C	Collector Power Dissipation @T_C=25℃	175	W
T_j	Junction Temperature	200	℃
T_stg	StorageTemperature Range	-65~200	℃

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL	PARAMETER	MAX	UNIT
R_{th j-c}	Thermal Resistance, Junction to Case	1.0	℃/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

T_C=25℃unless otherwise specified

SYMBOL	PARAMETER	CONDITIONS	MIN	TYP	MAX	UNIT
V_CEO(SUS)	Collector-Emitter Sustaining Voltage	I_C= 0.2A; I_B= 0; L= 10mH	350			V
V_CE₍_sat)-1	Collector-Emitter Saturation Voltage	I_C= 3A; I_B= 60mA			1.5	V
V_CE₍_sat)-2	Collector-Emitter Saturation Voltage	I_C= 6 A; I_B= 120mA			1.7	V
V_CE₍_sat)-3	Collector-Emitter Saturation Voltage	I_C= 10 A; I_B= 300mA			2.7	V
V_BE₍_sat)-1	Base-Emitter Saturation Voltage	I_C= 6 A; I_B= 120mA			2.2	V
V_BE₍_sat)-2	Base-Emitter Saturation Voltage	I_C= 10 A; I_B= 300mA			3.0	V
V_BE₍_on)	Base-Emitter On Voltage	I_C= 10A ; V_CE= 6V			2.5	V
I_CER	Collector Cutoff Current	V_CER= RatedV_CER;R_BE= 100Ω			1.0	mA
I_CBO	Collector Cutoff Current	V_CB= RatedV_CBO; I_E= 0			1.0	mA
I_EBO	Emitter Cutoff Current	V_EB= 6V; I_C= 0			40	mA
h_FE-1	DC Current Gain	I_C= 3A; V_CE= 6V	300
h_FE-2	DC Current Gain	I_C= 6A; V_CE= 6V	150		2000
h_FE-3	DC Current Gain	I_C= 10A; V_CE= 6V	50
V_ECF	C-E Diode Forward Voltage	I_F= 10A			3.5	V
C_OB	Output Capacitance	I_E= 0; V_CB= 10V; f= 100kHz		165		pF
Switching Times
t_s	Storage Time	V_CC= 12V; I_C= 6A, I_B1= -I_B2= 0.3A			15	μs
t_f	Fall Time	V_CC= 12V; I_C= 6A, I_B1= -I_B2= 0.3A			15	μs

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