无锡固电ISC 供应2SB1063三极管_无锡固电半导体股份有限公司

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产品分类

优势库存(800)普通库存(70069)三极管(211)

场效应管MOSFET(6)

MOSFET(5)

可控硅IGBT(3)

单向可控硅(晶闸管)(2)

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无锡固电ISC 供应2SB1063三极管

是否提供加工定制：

是

品牌/商标：

isc

型号/规格：

2SB1063

应用范围：

放大

材料：

硅(Si)

极性：

PNP型

结构：

平面型

封装形式：

直插型

封装材料：

塑料封装

询价

产品信息

DESCRIPTION

·Low Collector Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= -2.0V(Max)@I_C= -3A

·Good Linearity of h_FE

·Wide Area of Safe Operation

·Complement to Type 2SD1499

APPLICATIONS

·Designed for high power amplification.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL	PARAMETER	VALUE	UNIT
V_CBO	Collector-Base Voltage	-100	V
V_CEO	Collector-Emitter Voltage	-100	V
V_EBO	Emitter-Base Voltage	-5	V
I_C	Collector Current-Continuous	-5	A
I_CM	Collector Current-Peak	-8	A
P_C	Collector Power Dissipation @ T_a=25℃	2	W
P_C	Collector Power Dissipation @ T_C=25℃	40	W
T_J	JunctionTemperature	150	℃
T_stg	StorageTemperature Range	-55~150	℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

T_C=25℃unless otherwise specified

SYMBOL	PARAMETER	CONDITIONS	MIN	TYP.	MAX	UNIT
V_CE_(sat)	Collector-Emitter Saturation Voltage	I_C= -3A; I_B= -0.3A			-2.0	V
V_BE_(on)	Base-Emitter On Voltage	I_C= -3A; V_CE= -5V			-1.8	V
I_CBO	Collector Cutoff Current	V_CB= -100V; I_E= 0			-50	μA
I_EBO	Emitter Cutoff Current	V_EB= -3V; I_C= 0			-50	μA
h_FE-1	DC Current Gain	I_C= -20mA; V_CE= -5V	20
h_FE-2	DC Current Gain	I_C= -1A; V_CE= -5V	40		200
h_FE-3	DC Current Gain	I_C= -3A; V_CE= -5V	20
C_OB	Output Capacitance	I_E= 0; V_CB= -10V; f= 1MHz		170		pF
f_T	Current-Gain—Bandwidth Product	I_C= -0.5A; V_CE= -5V; f_test=1MHz		20		MHz

u h_FE-2Classifications

R	Q	P
40-80	60-120	100-200

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