无锡固电半导体股份有限公司

9年

无锡固电半导体股份有限公司

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无锡固电ISC供应2SC5100三极管
无锡固电ISC供应2SC5100三极管
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无锡固电ISC供应2SC5100三极管

是否提供加工定制:

品牌/商标:

ISC

型号/规格:

2SC5100

应用范围:

放大

材料:

硅(Si)

极性:

NPN型

结构:

平面型

封装形式:

直插型

封装材料:

塑料封装

产品信息

DESCRIPTION                                             

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

V(BR)CEO= 120V(Min)

·Good Linearity of hFE

·Complement to Type 2SA1908

 

 

APPLICATIONS

·Designed for audio and general purpose applications

 

 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Collector-Base Voltage                     

160

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage                        

120

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

6

V

IC

Collector Current-Continuous

8

A

IB

Base Current-Continuous

3

A

PC

Collector Power Dissipation

@ TC=25

75

W

TJ

JunctionTemperature

150

Tstg

StorageTemperature Range

-55~150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

V(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

IC= 50mA; IB= 0

120

 

 

V

VCE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= 3A; IB= 0.3A

 

 

0.5

V

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB= 160V; IE= 0

 

 

10

μA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB= 6V; IC= 0

 

 

10

μA

hFE

DC Current Gain

IC= 3A; VCE= 4V

50

 

 

 

COB

Collector Output Capacitance

IE= 0; VCB= 10V; f= 1MHz

 

200

 

pF

fT

Current-Gain—Bandwidth Product

IE= -0.5A; VCE= 12V

 

20

 

MHz

Switching times

ton

Turn-on Time

IC= 4A, RL= 10Ω,

IB1= -IB2= 0.4A, VCC=40V

 

0.13

 

μs

tstg

Storage Time

 

3.50

 

μs

tf

Fall Time

 

0.32

 

μs

 

u hFEclassifications

O

P

Y

50-100

70-140

90-180