无锡固电半导体股份有限公司

9年

无锡固电半导体股份有限公司

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无锡固电ISC 供应2SB1163三极管
无锡固电ISC 供应2SB1163三极管
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无锡固电ISC 供应2SB1163三极管

是否提供加工定制:

品牌/商标:

ISC/ISCSEMI

型号/规格:

2SB1163

应用范围:

放大

材料:

硅(Si)

极性:

PNP型

集电极允许电流ICM:

15(A)

集电极耗散功率PCM:

150(W)

截止频率fT:

20(MHz)

结构:

面接触型

封装形式:

TO-3PL

封装材料:

玻璃封装

产品信息

DESCRIPTION                                             

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

  : V(BR)CEO= -180V(Min)

·Good Linearity of hFE

·Wide Area of Safe Operation

·Complement to Type 2SD1718

APPLICATIONS

·Designed for high power amplifier applications

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

VCE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= -10A; IB= -1A

 

 

-2.5

V

VBE(on)

Base-Emitter On Voltage

IC= -8A; VCE= -5V

 

 

-1.8

V

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB= -180V; IE= 0

 

 

-50

μA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB= -3V; IC= 0

 

 

-50

μA

hFE-1

DC Current Gain

IC= -20mA; VCE= -5V

20

 

 

 

hFE-2

DC Current Gain

IC= -1A; VCE= -5V

60

 

200

 

hFE-3

DC Current Gain

IC= -8A; VCE= -5V

20

 

 

 

COB

Output Capacitance

IE= 0; VCB= -10V; ftest= 1.0MHz

 

230

 

pF

fT

Current-Gain—Bandwidth Product

IC= -0.5A; VCE= -5V

 

20

 

MHz

 

u      hFE-2Classifications

Q

S

P

60-120

80-160

100-200

"