无锡固电半导体股份有限公司

9年

无锡固电半导体股份有限公司

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无锡固电ISC 供应2SA1108三极管
无锡固电ISC 供应2SA1108三极管
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无锡固电ISC 供应2SA1108三极管

是否提供加工定制:

品牌/商标:

ISC

型号/规格:

2SA1108

应用范围:

放大

材料:

硅(Si)

极性:

PNP型

结构:

平面型

封装形式:

直插型

封装材料:

塑料封装

产品信息

DESCRIPTION                                             

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

V(BR)CEO= -130V(Min)

·Good Linearity of hFE

·High Power Dissipation

 

 

APPLICATIONS

·For audio and general purpose applications

 

 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Collector-Base Voltage                     

-130

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage                        

-130

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

-5

V

IC

Collector Current-Continuous

-12

A

PC

Collector Power Dissipation

@ TC=25

120

W

TJ

JunctionTemperature

150

Tstg

StorageTemperature Range

-55~150

 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

V(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

IC= -25mA; IB= 0

-130

 

 

V

V(BR)EBO

Emitter-BaseBreakdownVoltage

IE= -1mA; IC= 0

-5

 

 

V

VCE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= -5A; IB= -0.5A

 

 

-2.0

V

VBE(on)

Base-Emitter On Voltage

IC= -5A; VCE= -5V

 

 

-2.0

V

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB= -130V; IE= 0

 

 

-10

μA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB= -5V; IC= 0

 

 

-10

μA

hFE-1

DC Current Gain

IC= -2A; VCE= -5V

55

 

160

 

hFE-2

DC Current Gain

IC= -5A; VCE= -5V

35

 

 

 

COB

Output Capacitance

IE= 0; VCB= -10V; ftest= 1.0MHz

 

270

 

pF

fT

Current-Gain—Bandwidth Product

IC= -1A; VCE= -10V

 

60

 

MHz

 

"