无锡固电半导体股份有限公司

9年

无锡固电半导体股份有限公司

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无锡固电ISC供应达林顿功率晶体管T30F
无锡固电ISC供应达林顿功率晶体管T30F
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无锡固电ISC供应达林顿功率晶体管T30F

是否提供加工定制:

品牌/商标:

ISC/ISCSEMI

型号/规格:

T30F

应用范围:

放大

材料:

硅(Si)

极性:

NPN型

集电极允许电流ICM:

10(A)

集电极耗散功率PCM:

80(W)

结构:

平面型

封装形式:

TO-220F

封装材料:

塑料封装

产品信息

DESCRIPTION                                             

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

  : V(BR)CEO= 300V(Min)

·High DC Current Gain-

  : hFE= 1000V(Min.) @IC= 3A

APPLICATIONS

·Switching for dynamotor excitation

·Audio, regulator and general purpose applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Collector-Base Voltage                      

500

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage                         

300

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

5

V

IC

Collector Current-Continuous

10

A

IB

Base Current-Continuous

1

A

PC

Collector Power Dissipation

@ TC=25

80

W

TJ

JunctionTemperature

150

Tstg

StorageTemperature Range

-55~150

 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

V(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

IC= 30mA; IB= 0

300

 

 

V

V(BR)CBO

Collector-BaseBreakdownVoltage                      

IC= 1mA; IE= 0

500

 

 

V

VCE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= 6A; IB= 6mA

 

 

2.5

V

VBE(sat)

Base-Emitter Saturation Voltage

IC= 6A; IB= 6mA

 

 

3.0

V

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB= 500V; IE= 0

 

 

100

μA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB= 5V; IC= 0

 

 

100

μA

hFE

DC Current Gain

IC= 3A; VCE= 2V

1000