无锡固电半导体股份有限公司

9年

无锡固电半导体股份有限公司

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无锡固电ISC 供应2SD2089三极管
无锡固电ISC 供应2SD2089三极管
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无锡固电ISC 供应2SD2089三极管

是否提供加工定制:

品牌/商标:

ISC

型号/规格:

2SD2089

应用范围:

放大

材料:

硅(Si)

极性:

NPN型

结构:

平面型

封装形式:

直插型

封装材料:

塑料封装

产品信息

DESCRIPTION                                             

·High Breakdown Voltage-

VCBO= 1500V (Min)

·High Switching Speed

·Built-in Damper Diode

 

 

APPLICATIONS

·Designed for color TV horizontal output applications.

 

 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Collector-Base Voltage                        

1500

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage                        

600

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

   5

V

IC

Collector Current- Continuous

3.5

A

IB

Base Current- Continuous

1

A

PC

Collector Power Dissipation

@ Ta=25

3.5

W

Collector Power Dissipation

@ TC=25

40

TJ

JunctionTemperature

150

Tstg

StorageTemperature Range

-55~150

 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

V(BR)EBO

Emitter-Base Breakdown Voltage

IE= 200mA; IC= 0

5

 

 

V

VCE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC=2.2A; IB= 0.7A

 

 

1.0

V

VBE(sat)

Base-Emitter Saturation Voltage

IC=2.2A; IB= 0.7A

 

 

1.0

V

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB= 500V; IE= 0

 

 

10

μA

hFE

DC Current Gain

IC= 0. 5A; VCE= 5V

9

 

18

 

VECF

C-E Diode Forward Voltage

IF= 2.2A

 

 

1.5

V

fT

Current-Gain—Bandwidth Product

IC= 0.1A; VCE= 10V

 

3

 

MHz

COB

Output Capacitance

IE= 0 ; VCB= 10V;ftest=1.0MHz

 

95

 

pF

tf

Fall Time

ICP= 2.2A, IB1(end)= 0.7A

 

0.2

0.5

μs

 

"