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无锡固电半导体股份有限公司
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产品信息
iscSilicon NPN Power Transistor
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS)= 400V (Min)
·Low Saturation Voltage
: VCE(sat)= 1.5V (Max)@IC= 5A
APPLICATIONS
·Designed for use in high-voltage , high-speed , power
switching in inductive circuit.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL | PARAMETER | VALUE | UNIT |
VCBO | Base-Emitter Voltage | 850 | V |
VCEO | Collector-Emitter Voltage | 400 | V |
VEBO | Emitter-Base Voltage | 7 | V |
IC | Collector Current- Continuous | 8 | A |
ICM | Collector Current-Peak | 10 | A |
IB | Base Current- Continuous | 2 | A |
PC | Collector Power Dissipation @ TC=25℃ | 120 | W |
TJ | JunctionTemperature | 150 | ℃ |
Tstg | StorageTemperature Range | -65~150 | ℃ |