无锡固电半导体股份有限公司

9年

无锡固电半导体股份有限公司

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无锡固电ISC 供应三极管2SA1064
无锡固电ISC 供应三极管2SA1064
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无锡固电ISC 供应三极管2SA1064

是否提供加工定制:

品牌/商标:

ISC

型号/规格:

2SA1064

应用范围:

放大

材料:

硅(Si)

极性:

PNP型

结构:

平面型

封装形式:

直插型

封装材料:

金属封装

产品信息

DESCRIPTION                

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= -150V(Min.)

·Good Linearity of hFE

·WideArea of Safe Operation

·Complement to Type 2SC2488

 

 

APPLICATIONS

·Designed for AF amplifier, high power amplifier applications.

 

 

Absolute maximum ratings(Ta=25)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Collector-Base Voltage

-150

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

-150

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

-5

V

IC

Collector Current-Continuous  

-8

A

ICM

Collector Current-Peak  

-12

A

PC

Collector Power Dissipation

@TC=25

100

W

Tj

Junction Temperature

150

Tstg

Storage Temperature

-65~150

 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Tj=25unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

V(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

IC= -100mA; IB= 0

-150

 

 

V

VCE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= -8A; IB= -0.8A

 

 

-2.0

V

VBE(on)

Base-Emitter On Voltage

IC= -8A; VCE= -5V

 

 

-2.5

V

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB= -70V; IE= 0

 

 

-1

mA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB= -5V; IC= 0

 

 

-2

mA

hFE-1

DC Current Gain

IC= -1A; VCE= -5V

40

 

280

 

hFE-2

DC Current Gain

IC= -8A; VCE= -5V

20

 

 

 

fT

Current-Gain—Bandwidth Product

IC= -0.5A; VCE= -10V

 

50

 

MHz

 

u hFE-2Classifications

R

Q

P

O

40-80

60-120

90-180

140-280