无锡固电半导体股份有限公司

9年

无锡固电半导体股份有限公司

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无锡固电ISC 供应2SA1002三极管
无锡固电ISC 供应2SA1002三极管
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无锡固电ISC 供应2SA1002三极管

是否提供加工定制:

品牌/商标:

ISC

型号/规格:

2SA1002

应用范围:

放大

材料:

硅(Si)

极性:

PNP型

结构:

平面型

封装形式:

直插型

封装材料:

金属封装

产品信息

DESCRIPTION                

·High Current Capability

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= -120V(Min.)

 

 

APPLICATIONS

·Designed for audio and general purpose applications.

 

 

Absolute maximum ratings(Ta=25)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Collector-Base Voltage

-120

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

-120

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

-6

V

IC

Collector Current-Continuous  

-12

A

PC

Collector Power Dissipation

@TC=25

120

W

Tj

Junction Temperature

150

Tstg

Storage Temperature

-55~150

 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Tj=25unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

V(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

IC= -30mA; IB= 0

-120

 

 

V

V(BR)CBO

Collector-Base Breakdown Voltage

IC= -1mA; IE= 0

-120

 

 

V

V(BR)EBO

Emitter-Base Breakdown Voltage

IE= -1mA; IC= 0

-6

 

 

V

VCE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= -8A; IB= -0.8A

 

 

-3.0

V

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB= -120V; IE= 0

 

 

-50

μA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB= -6V; IC= 0

 

 

-50

μA

hFE

DC Current Gain

IC= -0.5A ; VCE= -5V

50

 

200

 

fT

Current-Gain—Bandwidth Product

IC= -1A ; VCE= -10V

40

 

 

MHz