无锡固电半导体股份有限公司

9年

无锡固电半导体股份有限公司

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无锡固电ISC供应2N5606三极管
无锡固电ISC供应2N5606三极管
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无锡固电ISC供应2N5606三极管

是否提供加工定制:

品牌/商标:

ISC

型号/规格:

2N5606

应用范围:

振荡

材料:

硅(Si)

极性:

NPN型

结构:

平面型

封装形式:

直插型

封装材料:

金属封装

产品信息

DESCRIPTION                                             

·DC Current Gain-

: hFE= 70-200@IC= 2.5A

·Wide Area of Safe Operation

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: VCEO(SUS)= 60V(Min)

·Complement to Type 2N5605

 

APPLICATIONS

·Designed for use in high frequency power amplifiers, audio

power amplifier and drivers.

 

 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Collector-Base Voltage

80

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

60

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

6

V

IC

Collector Current-Continuous

5

A

PC

Collector Power Dissipation@TC=25

25

W

TJ

Junction Temperature

150

Tstg

Storage Temperature

-65~150

 

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Rth j-c

Thermal Resistance,Junction to Case

5.0

/W

 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

 

TC=25unless otherwise specified

 

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

MAX

UNIT

VCEO(SUS)

Collector-Emitter Sustaining Voltage

IC= 50mA ; IB= 0

60

 

V

VCE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= 5A; IB= 0.5A

 

1.5

V

VBE(sat)

Base-Emitter Saturation Voltage

IC= 5A; IB= 0.5A

 

2.2

V

ICEO

Collector Cutoff Current

VCE= 60V; IB= 0

 

1.0

mA

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB= 80V; IE= 0

 

0.1

mA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB= 6V; IC= 0

 

0.1

mA

hFE

DC Current Gain

IC= 2.5A ; VCE= 5V

70

200

 

fT

Current-Gain—Bandwidth Product

IC= 0.5A ; VCE= 10V

60

 

MHz