无锡固电半导体股份有限公司

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无锡固电ISC供应BD681晶体管 无锡

集电极最大耗散功率PCM:40 集电极最大允许电流ICM:4 封装形式:TO-126 型号/规格:BD681 材料:硅(Si) 品牌/商标:ISC、iscsmi 封装材料:塑料封装 应用范围:功率

无锡固电ISC 供应BD139晶体管

集电极最大耗散功率PCM:12.5 集电极最大允许电流ICM:1.5 封装形式:直插型 型号/规格:BD139 材料:硅(Si) 品牌/商标:ISC 封装材料:塑料封装 应用范围:功率

无锡固电ISC供应音响用大功率晶体管2SC5197

集电极最大耗散功率PCM:80 集电极最大允许电流ICM:8 封装形式:TO-3PN 截止频率fT:30 型号/规格:2SC5197 材料:硅(Si) 品牌/商标:isc 应用范围:功率

无锡固电ISC 供应音响用大功率晶体管2SB817

集电极最大耗散功率PCM:100 集电极最大允许电流ICM:-12 封装形式:TO-3PN 截止频率fT:15 型号/规格:2SB817 材料:硅(Si) 品牌/商标:ISC 应用范围:功率

无锡固电ISC供应 功率晶体管 BUL56B

加工定制:是 品牌/商标:isc/iscsemi 型号/规格:BUL56B 应用范围:功率 材料:硅(Si) 极性:NPN型 集电极最大允许电流ICM:18(A) 集电极最大耗散功率PCM:85(W) 截止频率fT:20(MHz) 结构:平面型 封装形式:TO-220C 封装材料:塑料封装

无锡固电ISC 供应MOS 厂效应管 IRF640

品牌/商标:isc/iscsemi 型号/规格:IRF640 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2.0(V)