无锡固电半导体股份有限公司

9年

无锡固电半导体股份有限公司

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无锡固电供应三极管2SD1047
无锡固电供应三极管2SD1047
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无锡固电供应三极管2SD1047

品牌/型号:

isc/iiscsemi/2SD1047

应用范围:

放大

功率特性:

大功率

频率特性:

中频

极性:

NPN型

封装形式:

TO-3PN

封装材料:

塑料封装

集电极允许电流:

12(A)

集电极允许耗散功率:

100(W)

营销方式:

厂家直销

产品性质:

热销

结构:

平面型

产品信息

供应三极管2SD1047,TO-3PN,有意者请与我公司联系!DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-  : V(BR)CEO= 140V(Min)·Good Linearity of hFE·High Current Capability·Wide Area of Safe Operation  ·Complement to Type 2SB817APPLICATIONS·Recommend for 60W audio frequency amplifier output  stage applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)SYMBOLPARAMETERVALUEUNITVCBOCollector-Base Voltage
160VVCEOCollector-Emitter Voltage
140VVEBOEmitter-Base Voltage6VICCollector Current-Continuous12AICPCollector Current-Pulse15APCCollector Power Dissipation@ TC=25℃100WTJJunctionTemperature150℃TstgStorageTemperature Range-40~150℃ELECTRICAL CHARACTERISTICSTC=25℃unless otherwise specifiedSYMBOLPARAMETERCONDITIONSMINTYP.MAXUNITV(BR)CEOCollector-Emitter Breakdown VoltageIC= 50mA ; RBE=∞140
VV(BR)CBOCollector-BaseBreakdownVoltage
IC= 5mA; IE= 0160
VV(BR)EBOEmitter-BaseBreakdownVoltageIE= 5mA; IC= 06
VVCE(sat)Collector-Emitter Saturation VoltageIC=
5.0A; IB= 0.5A
2.5VVBE(on)Base-Emitter On VoltageIC= 1A ; VCE= 5V
1.5VICBOCollector Cutoff CurrentVCB= 80V ; IE= 0
100μAIEBOEmitter Cutoff CurrentVEB= 4V; IC= 0
100μAhFE-1DC Current GainIC= 1A ; VCE= 5V60 200 hFE-2DC Current GainIC= 6A ; VCE= 5V20
COBOutput CapacitanceIE= 0;VCB= 10V;ftest=
1.0MHz 210 pFfTCurrent-Gain—Bandwidth ProductIC= 1A ; VCE= 5V 15 MHzSwitching timestonTurn-on TimeIC= 1A ,RL= 20Ω,IB1= -IB2= 0.1A,VCC=20V 0.26 μststgStorage Time 6.88 μstfFall Time 0.68 μs u hFE-1ClassificationsDE60-120100-200