无锡固电半导体股份有限公司

9年

无锡固电半导体股份有限公司

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无锡固电ISC 供应晶体管,三极管,功率管BD441
无锡固电ISC 供应晶体管,三极管,功率管BD441
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无锡固电ISC 供应晶体管,三极管,功率管BD441

是否提供加工定制:

品牌/商标:

ISC

型号/规格:

BD441

应用范围:

功率

材料:

硅(Si)

极性:

NPN型

集电极允许电流ICM:

4(A)

集电极耗散功率PCM:

36(W)

截止频率fT:

3(MHz)

结构:

平面型

封装形式:

直插型

封装材料:

塑料封装

产品信息

DESCRIPTION                                             

·Collector-Emitter Sustaining Voltage -

  : VCEO(SUS)= 80V(Min)

·Complement to type BD442

 

 

APPLICATIONS

·Designed for medium power linear and switching

applications.

 

 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Collector-Base Voltage                      

80

V

VCES

Collector-Emitter Voltage                         

80

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage                         

80

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

5

V

IC

Collector Current-Continuous

4

A

ICM

Collector Current-Pulse

7

A

IB

Base Current-Continuous

1

A

PC

Collector Power Dissipation

@ TC=25

36

W

TJ

JunctionTemperature

150

Tstg

StorageTemperature Range

-65~150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

VCEO(SUS)

Collector-Emitter Sustaining Voltage

IC= 100mA; IB= 0

80

 

 

V

VCE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= 2A; IB= 0.2A

 

 

0.8

V

VBE(on)-1

Base-Emitter On Voltage

IC= 10mA; VCE= 5V

 

0.58

 

V

VBE(on)-2

Base-Emitter On Voltage

IC= 2A; VCE= 1V

 

 

1.5

V

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB=80V; IE= 0

 

 

100

μA

ICEO

Collector Cutoff Current

VCE=80V; VBE= 0

 

 

100

μA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB= 5V; IC= 0

 

 

1

mA

hFE-1

DC Current Gain

IC= 10mA; VCE= 5V

15

 

 

 

hFE-2

DC Current Gain

IC= 0.5A; VCE= 1V

40

 

 

 

hFE-3

DC Current Gain

IC= 2A; VCE= 1V

15

 

 

 

fT

Current-Gain—Bandwidth Product

IC= 0.25A; VCE= 1V

3

 

 

MHz