无锡固电ISC 供应MOS 厂效应管 IRF640_无锡固电半导体股份有限公司

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优势库存(800)普通库存(70069)三极管(211)

场效应管MOSFET(6)

MOSFET(5)

可控硅IGBT(3)

单向可控硅(晶闸管)(2)

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无锡固电ISC 供应MOS 厂效应管 IRF640

品牌/商标：

isc/iscsemi

型号/规格：

IRF640

种类：

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型：

N沟道

导电方式：

增强型

用途：

SW-REG/开关电源

封装外形：

P-DIT/塑料双列直插

材料：

N-FET硅N沟道

开启电压：

2.0（V）

询价

产品信息

DESCRIPTION Drain Current –I_D= 18A@ T_C=25℃

·Drain Source Voltage-

: V_DSS= 200V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: R_DS(on)= 0.18Ω(Max)

·Fast Switching Speed

·Low DriveRequirement

APPLICATIONS

·Designed for low voltage, high speed power switching

applications such as switching regulators, converters,

solenoid and relay drivers.

SYMBOL	ARAMETER	VALUE	UNIT
V_DSS	Drain-Source Voltage (V_GS=0)	200	V
V_GS	Gate-Source Voltage	±20	V
I_D	Drain Current-continuous@ TC=25℃	18	A
P_tot	Total Dissipation@TC=25℃	125	W
T_j	Max. Operating Junction Temperature	150	℃
T_stg	StorageTemperature Range	-55~150	℃

Electrical Characteristics (T_c=25℃)

SYMBOL	PARAMETER	CONDITIONS	MIN	MAX	UNIT
V_(BR)DSS	Drain-Source Breakdown Voltage	V_GS= 0; I_D= 0.25mA	200		V
V_GS(_th₎	Gate Threshold Voltage	V_DS= V_GS; I_D= 0.25mA	2	4	V
R_DS(_on₎	Drain-Source On-stage Resistance	V_GS=10V; I_D= 10A		0.18	Ω
I_GSS	Gate Source Leakage Current	V_GS=±20V;V_DS= 0		±100	nA
I_DSS	Zero Gate Voltage Drain Current	V_DS= 200V; V_GS= 0		200	uA
V_SD	Diode Forward Voltage	I_F= 18A; V_GS=0		2.0	V

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