无锡固电半导体股份有限公司

9年

无锡固电半导体股份有限公司

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无锡固电ISC供应2SD2012晶体管,三极管,功率管
无锡固电ISC供应2SD2012晶体管,三极管,功率管
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无锡固电ISC供应2SD2012晶体管,三极管,功率管

是否提供加工定制:

品牌/商标:

ISC

型号/规格:

2SD2012

应用范围:

功率

材料:

硅(Si)

极性:

NPN型

结构:

平面型

封装形式:

直插型

封装材料:

塑料封装

产品信息

DESCRIPTION                                             

·High DC Current Gain-

: hFE= 100 (Min)@ IC= 0.5A

·Low Saturation Voltage-

: VCE(sat)= 1.0V (Max)

·High Power Dissipation

: PC= 25 W(Max)@ TC= 25

 

 

APPLICATIONS

·Designed for audio frequency power amplifier

applications

 

 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Collector-Base Voltage                     

60

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage                        

60

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

7

V

IC

Collector Current-Continuous

3

A

IB

Base Current-Continuous

0.5

A

PC

Collector Power Dissipation

@ Ta=25

2.0

W

Collector Power Dissipation

@ TC=25

25

TJ

JunctionTemperature

150

Tstg

StorageTemperature Range

-55~150

 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

V(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

IC= 50mA ; IB= 0

60

 

 

V

VCE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= 2A; IB= 0.2A

 

 

1.0

V

VBE(on)

Base-Emitter On Voltage

IC= 0.5A ; VCE= 5V

 

 

1.0

V

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB= 60V ; IE=0

 

 

0.1

mA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB= 7V ; IC=0

 

 

0.1

mA

hFE-1

DC Current Gain

IC= 0.5A ; VCE= 5V

100

 

320

 

hFE-2

DC Current Gain

IC= 2A ; VCE= 5V

20

 

 

 

fT

Current-Gain—Bandwidth Product

IC= 0.5A ; VCE= 5V

 

3

 

MHz

COB

Output Capacitance

IE= 0 ; VCB= 10V; ftest= 1.0MHz

 

35

 

pF