无锡固电半导体股份有限公司

9年

无锡固电半导体股份有限公司

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无锡固电ISC供应2N5427 三极管
无锡固电ISC供应2N5427 三极管
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无锡固电ISC供应2N5427 三极管

是否提供加工定制:

品牌/商标:

ISC

型号/规格:

2N5427

应用范围:

功率

材料:

硅(Si)

极性:

NPN型

结构:

平面型

封装形式:

直插型

封装材料:

金属封装

产品信息

DESCRIPTION                                             

·Contunuous Collector Current-IC= 7A

·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-

: VCE(sat)= 1.2V(Max) @IC= 7A

·Wide Area of Safe Operation

 

 

APPLICATIONS

·Designed for switching and wide-band amplifier applications.

 

 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Collector-Base Voltage

80

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

80

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

6

V

IC

Collector Current-Continuous

7

A

IB

Base Current-Continuous

1

A

PC

Collector Power Dissipation@TC=25

40

W

TJ

Junction Temperature

200

Tstg

Storage Temperature

-65~200

 

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Rth j-c

Thermal Resistance,Junction to Case

4.37

/W

 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

 

TC=25unless otherwise specified

 

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

MAX

UNIT

VCEO(SUS)

Collector-Emitter Sustaining Voltage

IC= 50mA; IB= 0

80

 

V

VCE(sat)-1

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= 2A; IB= 0.2A

 

0.7

V

VCE(sat)-2

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= 7A; IB= 0.7A

 

1.2

V

VBE(sat)-1

Base-Emitter Saturation Voltage

IC= 2A; IB= 0.2A

 

1.2

V

VBE(sat)-2

Base-Emitter Saturation Voltage

IC= 7A; IB= 0.7A

 

2.0

V

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB= 80V; IE= 0

 

0.1

mA

ICEX

Collector Cutoff Current

VCE= 75V; VBE(off)= -1.5V

VCE= 75V; VBE(off)= -1.5V,TC=150

 

0.1

1.0

mA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB= 6V; IC= 0

 

0.1

mA

hFE-1

DC Current Gain

IC= 0.5A ; VCE= 2V

30

 

 

hFE-2

DC Current Gain

IC= 2A; VCE= 2V

30

120

 

hFE-3

DC Current Gain

IC= 5A; VCE= 2V

20

 

 

fT

Current Gain-Bandwidth Product

IC= 0.5A; VCE= 10V; f=10MHz

20

 

MHz