无锡固电半导体股份有限公司

9年

无锡固电半导体股份有限公司

卖家积分:17001分-18000分营业执照:已审核经营模式:生产制造商所在地区:江苏 无锡企业网站:
http://www.iscsemi.com

收藏本公司 人气:203375

企业档案

  • 相关证件:营业执照已审核 
  • 会员类型:
  • 会员年限:9年
  • 阚丹丹 QQ:3003893898
  • 电话:0510-85346300
  • 手机:15961889150
  • 阿库IM:
  • 地址:无锡新区新梅路68号
  • 传真:0510-85346300
  • E-mail:mdc@iscsemi.com
无锡固电ISC供应2N5604 三极管
无锡固电ISC供应2N5604 三极管
<>

无锡固电ISC供应2N5604 三极管

是否提供加工定制:

品牌/商标:

ISC

型号/规格:

2N5604

应用范围:

功率

材料:

硅(Si)

极性:

NPN型

结构:

平面型

封装形式:

直插型

封装材料:

金属封装

产品信息

DESCRIPTION                                             

·DC Current Gain-

: hFE= 30-90@IC= 1A

·Wide Area of Safe Operation

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: VCEO(SUS)= 100V(Min)

·Complement to Type 2N5603

 

APPLICATIONS

·Designed for use in high frequency power amplifiers, audio

power amplifier and drivers.

 

 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Collector-Base Voltage

120

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

100

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

5

V

IC

Collector Current-Continuous

2

A

PC

Collector Power Dissipation@TC=25

20

W

TJ

Junction Temperature

150

Tstg

Storage Temperature

-65~150

 

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Rth j-c

Thermal Resistance,Junction to Case

4.37

/W

 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

 

TC=25unless otherwise specified

 

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

MAX

UNIT

VCEO(SUS)

Collector-Emitter Sustaining Voltage

IC= 50mA ; IB= 0

100

 

V

VCE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= 1A; IB= 0.1A

 

1.0

V

VBE(on)

Base-Emitter On Voltage

IC= 1A ; VCE= 5V

 

1.5

V

ICEO

Collector Cutoff Current

VCE= 80V; IB= 0

 

1.0

mA

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB= 100V; IE= 0

 

0.1

mA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB= 5V; IC= 0

 

0.1

mA

hFE

DC Current Gain

IC= 1A ; VCE= 5V

30

90

 

fT

Current-Gain—Bandwidth Product

IC= 0.5A ; VCE= 10V

50

 

MHz

 

 

 

"