无锡固电半导体股份有限公司

9年

无锡固电半导体股份有限公司

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2N5931三极管
2N5931三极管
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2N5931三极管

是否提供加工定制:

品牌/商标:

isc

型号/规格:

2N5931

应用范围:

功率

材料:

硅(Si)

极性:

NPN型

结构:

平面型

封装形式:

直插型

封装材料:

金属封装

产品信息

DESCRIPTION                                             

·DC Current Gain-

: hFE= 20-100@IC= 10A

·Low Collector Saturation Voltage-

: VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC= 15A

 

 

APPLICATIONS

·Designed for general purpose power amplifier and switching

applications.

 

 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Collector-Base Voltage

170

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

160

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

5

V

IC

Collector Current-Continuous

30

A

IB

Base Current-Continuous

7.5

A

PC

Collector Power Dissipation @TC=25

175

W

TJ

Junction Temperature

200

Tstg

Storage Temperature

-65~200

 

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Rth j-c

Thermal Resistance,Junction to Case

0.875

/W

 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

 

TC=25unless otherwise specified

 

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

VCEO(SUS)

Collector-Emitter Sustaining Voltage

IC= 200mA ; IB= 0

160

 

 

V

VCE(sat)-1

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= 15A; IB= 1.5A

 

 

1.0

V

VCE(sat)-2

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= 30A; IB= 7.5A

 

 

4.0

V

VBE(sat)

Base-Emitter Saturation Voltage

IC= 30A; IB= 7.5A

 

 

2.5

V

VBE(on)

Base-Emitter On Voltage

IC= 10A ; VCE= 4V

 

 

1.5

V

ICEO

Collector Cutoff Current

VCE= 160V; IB= 0

 

 

2.0

mA

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB= 170V; IE= 0

 

 

1.0

mA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB= 5V; IC= 0

 

 

1.0

mA

hFE-1

DC Current Gain

IC= 10A ; VCE= 4V

20

 

100

 

hFE-2

DC Current Gain

IC= 30A ; VCE= 4V

4

 

 

 

fT

Current-Gain—Bandwidth Product

IC= 1A ; VCE= 10V ;ftest= 1MHz

 

30

 

MHz

 

 

 

"