无锡固电半导体股份有限公司

9年

无锡固电半导体股份有限公司

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无锡固电ISC供应2N5737三极管
无锡固电ISC供应2N5737三极管
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无锡固电ISC供应2N5737三极管

是否提供加工定制:

品牌/商标:

ISC

型号/规格:

2N5737

应用范围:

功率

材料:

硅(Si)

极性:

PNP型

结构:

平面型

封装形式:

直插型

封装材料:

金属封装

产品信息

DESCRIPTION                                             

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

:VCEO(SUS)= -60V(Min.)

·Low Collector Saturation Voltage-

: VCE(sat)= -0.5V(Max.)@ IC= -5A

·Wide Area of Safe Operation

 

 

APPLICATIONS

·Designed for general-purpose power amplifier and switching

applications.

 

 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Collector-Base Voltage

-60

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

-60

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

-5

V

IC

Collector Current-Continuous

-10

A

ICM

Collector Current-Peak

-20

A

IB

Base Current-Continuous

-4

A

PC

Collector Power Dissipation

@TC=100

50

W

TJ

Junction Temperature

150

Tstg

Storage Temperature

-65~200

 

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Rth j-a

Thermal Resistance,Junction to Ambient

0.5

/W

 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

 

TC=25unless otherwise specified

 

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

MAX

UNIT

VCEO(SUS)

Collector-Emitter Sustaining Voltage

IC= -200mA ; IB= 0

-60

 

V

VCE(sat)-1

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= -5A; IB= -0.5A

 

-0.5

V

VCE(sat)-2

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= -10A; IB= -2.5A

 

-3.0

V

VBE(sat)

Base-Emitter Saturation Voltage

IC= -5A; IB= -0.5A

 

-1.2

V

VBE(on)

Base-Emitter On Voltage

IC= -4A; VCE= -4V

 

-1.5

V

ICEO

Collector Cutoff Current

VCE= -60V; IB= 0

 

-0.5

mA

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB= -60V; IE= 0

 

-0.1

mA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB= -5V; IC= 0

 

-0.1

mA

hFE-1

DC Current Gain

IC= -5A; VCE= -5V

20

80

 

hFE-2

DC Current Gain

IC= -10A; VCE= -5V

4

 

 

fT

Current-Gain—Bandwidth Product

IC= -0.5A; VCE= -10V

10

 

MHz