无锡固电半导体股份有限公司

9年

无锡固电半导体股份有限公司

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无锡固电ISC供应2N5804三极管
无锡固电ISC供应2N5804三极管
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无锡固电ISC供应2N5804三极管

是否提供加工定制:

品牌/商标:

ISC

型号/规格:

2N5804

应用范围:

功率

材料:

硅(Si)

极性:

NPN型

结构:

平面型

封装形式:

直插型

封装材料:

金属封装

产品信息

DESCRIPTION                                             

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: VCEO(SUS)= 225V(Min)

·DC Current Gain-

:hFE= 10-100@IC= 5A

 

                                                                                                      

APPLICATIONS

·Switching regulator

·Inverters

·Solenoid and relay drivers

·Motor controls

 

 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Collector-Base Voltage

300

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

225

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

6

V

IC

Collector Current-Continuous

5

A

ICM

Collector Current-Peak

10

A

PC

Collector Power Dissipation@TC=25

110

W

TJ

Junction Temperature

150

Tstg

Storage Temperature

-65~200

 

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Rth j-c

Thermal Resistance,Junction to Case

1.6

/W

 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

 

TC=25unless otherwise specified

 

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

MAX

UNIT

VCEO(SUS)

Collector-Emitter Sustaining Voltage

IC= 100mA ; IB= 0

225

 

V

VCE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= 5A; IB= 0.5A

 

2.0

V

VBE(sat)

Base-Emitter Saturation Voltage

IC= 5A; IB= 0.5A

 

2.0

V

ICEV

Collector Cutoff Current

VCE= 300V; VBE(off)= -1.5V

 

12

mA

ICEO

Collector Cutoff Current

VCE= 225V; IB= 0

 

10

mA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB= 7V; IC= 0

 

1.0

mA

hFE

DC Current Gain

IC= 5A ; VCE= 4V

10

100

 

fT

Current Gain-Bandwidth Product

IC= 1A ; VCE= 10V

15

 

MHz