无锡固电半导体股份有限公司

9年

无锡固电半导体股份有限公司

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无锡固电ISC供应2SA1184三极管
无锡固电ISC供应2SA1184三极管
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无锡固电ISC供应2SA1184三极管

是否提供加工定制:

品牌/商标:

ISC

型号/规格:

2SA1184

应用范围:

功率

材料:

硅(Si)

极性:

PNP型

结构:

平面型

封装形式:

直插型

封装材料:

塑料封装

产品信息

DESCRIPTION                                             

·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-

V(BR)CEO= -120V (Min)

·Complement to Type 2SC2824

 

 

APPLICATIONS

·Designed for audio frequency power amplifier applications.

 

 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Collector-Base Voltage                     

-120

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage                        

-120

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

-5.0

V

IC

Collector Current-Continuous

-1

A

IB

Base Current-Continuous

-0.1

A

PC

Collector Power Dissipation

@ Ta=25

1

W

Total Power Dissipation

@ TC=25

15

TJ

JunctionTemperature

150

Tstg

StorageTemperature Range

-55~150

 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

V(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage                        

IC= -10mA; IB= 0

-120

 

 

V

V(BR)EBO

Emitter-Base Breakdown Voltage

IE= -1mA; IC= 0

-5

 

 

V

VCE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= -500mA; IB= -50mA

 

 

-1.0

V

VBE(on)

Base-Emitter On Voltage

IC= -500mA; VCE= -5V

 

 

-1.0

V

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB= -120V; IE= 0

 

 

-0.1

μA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB= -5V; IC= 0

 

 

-0.1

μA

hFE

DC Current Gain

IC= -100mA; VCE= -5V

80

 

240

 

fT

Current-Gain—Bandwidth Product

IC= -100mA; VCE= -5V

 

120

 

MHz

COB

Output Capacitance

IE= 0; VCB= -10V; f= 1.0MHz

 

30

 

pF

 

u hFEClassifications

O

Y

80-160

120-240