无锡固电半导体股份有限公司

9年

无锡固电半导体股份有限公司

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无锡固电ISC供应2SA1249三极管
无锡固电ISC供应2SA1249三极管
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无锡固电ISC供应2SA1249三极管

是否提供加工定制:

品牌/商标:

ISC

型号/规格:

2SA1249

应用范围:

功率

材料:

硅(Si)

极性:

PNP型

结构:

平面型

封装形式:

直插型

封装材料:

塑料封装

产品信息

DESCRIPTION                                             

·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= -160V (Min)

·Large Current Capacity

·Complement to Type 2SC3117

 

 

APPLICATIONS

·Color TV sound output, converters, inverters.

 

 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Collector-Base Voltage                     

-180

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage                        

-160

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

-6

V

IC

Collector Current-Continuous

-1.5

A

ICM

Collector Current-Peak

-2.5

A

PC

Total Power Dissipation

@ Ta=25

1

W

Total Power Dissipation

@ TC=25

10

TJ

JunctionTemperature

150

Tstg

StorageTemperature Range

-55~150

 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

V(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

IC= -1mA; RBE=

-160

 

 

V

V(BR)CBO

Collector-BaseBreakdownVoltage                     

IC= -10μA; IE= 0

-180

 

 

V

V(BR)EBO

Emitter-BaseBreakdownVoltage

IE= -10μA; IC= 0

-6

 

 

V

VCE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= -0.5A; IB= -50mA

 

 

-0.5

V

VBE(sat)

Base-Emitter Saturation Voltage

IC= -0.5A; IB= -50mA

 

 

-1.2

V

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB= -120V; IE= 0

 

 

-1.0

μA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB= -4V; IC= 0

 

 

-1.0

μA

hFE-1

DC Current Gain

IC= -0.1A; VCE= -5V

100

 

400

 

hFE-2

DC Current Gain

IC= -10mA; VCE= -5V

90

 

 

 

fT

Current-Gain—Bandwidth Product

IC= -50mA; VCE= -10V

 

120

 

MHz

COB

Output Capacitance

IE= 0; VCB= -10V; f= 1.0MHz

 

22

 

pF

 

u hFE-1Classifications

R

S

T

100-200

140-280

200-400