无锡固电半导体股份有限公司

9年

无锡固电半导体股份有限公司

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http://www.iscsemi.com

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无锡固电 供应 iscsemi  BU921T
无锡固电 供应 iscsemi  BU921T
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无锡固电 供应 iscsemi BU921T

是否提供加工定制:

品牌/商标:

iscsemi

型号/规格:

BU921T

应用范围:

功率

击穿电压VCBO:

400(V)

集电极允许电流ICM:

10(A)

集电极耗散功率PCM:

105(W)

结构:

平面型

封装形式:

TO-220

封装材料:

塑料封装

产品信息

供应BU921T,TO-220,有意者请联系!

DESCRIPTION          

·High Voltage

·DARLINGTON

APPLICATIONS

·Designed for automotive ignition applications and inverter

  circuits for motor control.

Absolute maximum ratings (Ta=25)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCES

Collector-Emitter Voltage VBE= 0

450

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

400

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

5

V

IC

Collector Current  

10

A

ICM

Collector Current-peak

15

A

IB

Base Current  

5

A

PC

Collector Power Dissipation

@TC=25

105

W

Tj

Junction Temperature

150

Tstg

StorageTemperature Range

-65~150

 

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Rth j-c

Thermal Resistance, Junction to Case

1.2

/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

VCEO(SUS)

Collector-Emitter Sustaining Voltage

IC= 0.1A; IB= 0

400

 

 

V

VCE(sat)-1

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= 5A; IB= 50mA

 

 

1.8

V

VCE(sat)-2

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= 7A; IB= 140mA

 

 

1.8

V

VBE(sat)-1

Base-Emitter Saturation Voltage

IC= 5A; IB= 50mA

 

 

2.2

V

VBE(sat)-2

Base-Emitter Saturation Voltage

IC= 7A; IB= 140mA

 

 

2.5

V

ICES

Collector Cutoff Current

VCE= 450V;VBE= 0

VCE= 450V;VBE= 0;Tj= 125

 

 

0.25

0.5

mA

ICEO

Collector Cutoff Current

VCE= 400V; IB= 0

 

 

0.25

mA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB= 5V; IC= 0

 

 

50

mA

 VECF 

C-E Diode Forward Voltage 

IF= 7A

 

 

2.5

V