ISC 供应BD135晶体管_无锡固电半导体股份有限公司

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产品分类

三极管(211)

可控硅IGBT(3)

单向可控硅(晶闸管)(2)

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ISC 供应BD135晶体管

品牌/型号：

ISC/BD135

应用范围：

功率

功率特性：

中功率

极性：

NPN型

封装形式：

直插型

封装材料：

塑料封装

集电极允许电流：

1.5（A）

集电极允许耗散功率：

12.5（W）

营销方式：

厂家直销

产品性质：

热销

结构：

平面型

材料：

硅Si

询价

产品信息

BD135三极管，TO-126DESCRIPTION
·DC Current Gain- : hFE= 40(Min)@ IC= 0.15A·Collector-Emitter Sustaining Voltage - : VCEO(SUS)= 45V(Min)·Complement to type BD136 APPLICATIONS·Designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)SYMBOLPARAMETERVALUEUNITVCBOCollector-Base Voltage
45VVCEOCollector-Emitter Voltage
45VVEBOEmitter-Base Voltage5VICCollector Current-Continuous1.5AIBBase Current-Continuous0.5APCCollector Power Dissipation@ Ta=25℃1.25WCollector Power Dissipation@ TC=25℃12.5TJJunctionTemperature150℃TstgStorageTemperature Range-55~150℃ELECTRICAL CHARACTERISTICSTC=25℃unless otherwise specifiedSYMBOLPARAMETERCONDITIONSMINTYP.MAXUNITVCEO(SUS)Collector-Emitter Sustaining VoltageIC= 30mA ; IB=045
VVCE(sat)Collector-Emitter Saturation VoltageIC= 0.5A; IB= 50mA
0.5VVBE(on)Base-Emitter On VoltageIC= 0.5A; VCE= 2V
1.0VICBOCollector Cutoff CurrentVCB= 30V; IE= 0VCB= 30V; IE= 0,TC=125℃
0.110μAIEBOEmitter Cutoff CurrentVEB= 5V; IC=0
10μAhFE-1DC Current GainIC= 5mA ; VCE= 2V25
hFE-2DC Current GainIC= 0.5A ; VCE= 2V25
hFE-3DC Current GainIC= 0.15A ; VCE= 2V40 250

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三极管(211)

场效应管MOSFET(6)

可控硅IGBT(3)

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