晶体管2SC4237_无锡固电半导体股份有限公司

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产品分类

三极管(211)

可控硅IGBT(3)

单向可控硅(晶闸管)(2)

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晶体管2SC4237

品牌/型号：

isc/iscsemi/2SC4237

应用范围：

功率

功率特性：

大功率

频率特性：

中频

极性：

NPN型

封装形式：

TO-3

封装材料：

金属封装

集电极允许电流：

10（A）

集电极允许耗散功率：

150（W）

营销方式：

厂家直销

产品性质：

热销

结构：

平面型

询价

产品信息

DESCRIPTION
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS)= 800V(Min)·Fast Switching speed
APPLICATIONS·Color TV horizontal output applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)SYMBOLPARAMETERVALUEUNITVCBOCollector-Base Voltage
1200VVCEOCollector-Emitter Voltage
800VVEBOEmitter-Base Voltage7VICCollector Current-Continuous10AICMCollector Current-Peak20AIBBase Current-Continuous 4AIBMBase Current-Peak 8APTTotal Power Dissipation@ TC=25℃150WTJJunctionTemperature150℃TstgStorageTemperature Range-55~150℃ELECTRICAL CHARACTERISTICSTC=25℃unless otherwise specifiedSYMBOLPARAMETERCONDITIONSMINTYP.MAXUNITVCEO(SUS)Collector-Emitter Sustaining VoltageIC= 0.2A; IB= 0800
VVCE(sat)Collector-Emitter Saturation VoltageIC= 5A; IB= 1A
1.0VVBE(sat)Base-Emitter Saturation VoltageIC= 5A; IB= 1A
1.5VICBOCollector Cutoff CurrentAt rated Voltage
100μAICEOCollector Cutoff CurrentAt rated Voltage
100μAIEBOEmitter Cutoff CurrentAt rated Voltage
100μAhFE-1DC Current GainIC= 5A ; VCE= 5V8
hFE-2DC Current GainIC= 1mA ; VCE= 5V5
fTCurrent-Gain—Bandwidth ProductIC= 1A ; VCE= 10V 8 MHzSwitching timestonTurn-on TimeIC= 5A , IB1= 1A; IB2= -2ARL= 50Ω; VBB2= 4V
0.5μststgStorage Time
3.5μstfFall Time
0.3μs

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三极管(211)

场效应管MOSFET(6)

可控硅IGBT(3)

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