2SB1402 三极管_无锡固电半导体股份有限公司

非IC关键词

无锡固电半导体股份有限公司

: 卖家积分：营业执照：已审核经营模式：生产制造商所在地区：江苏无锡企业网站：
http://www.iscsemi.com

收藏本公司人气：203461

企业档案

相关证件：
会员类型：
会员年限：9年

阚丹丹
电话：0510-85346300
手机：15961889150

阿库IM：
地址：无锡新区新梅路68号
传真：0510-85346300
E-mail：mdc@iscsemi.com

产品分类

三极管(211)

可控硅IGBT(3)

单向可控硅(晶闸管)(2)

您的当前位置：无锡固电半导体股份有限公司 > 元器件产品

2SB1402 三极管

品牌/型号：

isc/iscsemi/2SB1402

应用范围：

放大

功率特性：

小功率

频率特性：

高频

极性：

PNP型

封装形式：

TO-220Fa

封装材料：

塑料封装

集电极允许电流：

3（A）

集电极允许耗散功率：

3（W）

营销方式：

厂家直销

产品性质：

新品

结构：

扩散型

询价

产品信息

DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -120V(Min)·HighDC Current Gain-: hFE=1000(Min)@ (VCE= -3V, IC= -1.5A)APPLICATIONS·Designed for low frequency power amplifier applications.ELECTRICAL CHARACTERISTICSTj=25℃unless otherwise specifiedSYMBOLPARAMETERCONDITIONSMINTYP.MAXUNITV(BR)CEOCollector-Emitter Breakdown VoltageIC= -25mA; RBE=∞-120
VV(BR)CBOCollector-BaseBreakdownVoltageIC= -0.1mA; IE= 0-120
VV(BR)EBOEmitter-BaseBreakdownVoltageIE= -50mA; IC= 0-7
VVCE(sat)-1Collector-Emitter Saturation VoltageIC= -1.5A; IB= -3mA
-1.5VVCE(sat)-2Collector-Emitter Saturation VoltageIC= -3A; IB= -30mA
-3.0VVBE(sat)-1Base-Emitter Saturation VoltageIC= -1.5A; IB= -3mA
-2.0VVBE(sat)-2Base-Emitter Saturation VoltageIC= -3A; IB= -30mA
-3.5VICBOCollector Cutoff CurrentVCB= -100V; IE= 0
-10μAICEOCollector Cutoff CurrentVCE= -100V; RBE=∞
-10μAhFEDC Current GainIC= -1.5A; VCE= -3V1000 20000 VECFC-E Diode Forward VoltageIF= 3A
3.0V

无锡固电半导体股份有限公司

无锡固电半导体股份有限公司

企业档案

产品分类

三极管(211)

场效应管MOSFET(6)

可控硅IGBT(3)

2SB1402 三极管

相关产品

产品信息