无锡固电ISC供应2SD1294三极管_无锡固电半导体股份有限公司

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产品分类

优势库存(800)普通库存(70069)三极管(211)

场效应管MOSFET(6)

MOSFET(5)

可控硅IGBT(3)

单向可控硅(晶闸管)(2)

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无锡固电ISC供应2SD1294三极管

是否提供加工定制：

是

品牌/商标：

isc

型号/规格：

2SD1294

应用范围：

功率

材料：

硅(Si)

极性：

NPN型

结构：

平面型

封装形式：

TO-3PI

封装材料：

塑料封装

询价

产品信息

DESCRIPTION

·Included Avalanche Diode-

: V_Z= 60±15V

·High DC Current Gain

: h_FE= 2000~20000@ I_C= 0.5A, V_CE= 5V

APPLICATIONS

·Power regulator for line operated TV applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL	PARAMETER	VALUE	UNIT
V_CBO	Collector-Base Voltage	60±15	V
V_CEO	Collector-Emitter Voltage	60±15	V
V_EBO	Emitter-Base Voltage	6	V
I_C	Collector Current-Continuous	5	A
I_CM	Collector Current-Pulse	20	A
P_C	Collector Power Dissipation @ T_C=25℃	80	W
T_J	JunctionTemperature	150	℃
T_stg	StorageTemperature Range	-55~150	℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

T_C=25℃unless otherwise specified

SYMBOL	PARAMETER	CONDITIONS	MIN	TYP.	MAX	UNIT
V_(BR)CBO	Collector-Base Breakdown Voltage	I_C= 100mA; I_E= 0	45		75	V
V_(BR)CEO	Collector-Emitter Breakdown Voltage	I_C= 100mA; I_B= 0	45		75	V
V_CE(_sat_)-1	Collector-Emitter Saturation Voltage	I_C= 0.5A; I_B= 1mA			1.5	V
V_CE(_sat_)-2	Collector-Emitter Saturation Voltage	I_C= 1A; I_B= 1mA			2.5	V
V_BE(_on₎	Base-Emitter On Voltage	I_C= 0.5A; V_CE= 5V			1.8	V
I_EBO	Emitter Cutoff Current	V_EB= 6V; I_C= 0			100	μA
h_FE	DC Current Gain	I_C= 0.5A; V_CE= 5V	2000		20000

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