无锡固电半导体股份有限公司

9年

无锡固电半导体股份有限公司

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无锡固电ISC 供应2N6121 三极管 功率三极管 直插桑拿机关
无锡固电ISC 供应2N6121 三极管 功率三极管 直插桑拿机关
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无锡固电ISC 供应2N6121 三极管 功率三极管 直插桑拿机关

是否提供加工定制:

品牌/商标:

ISC

型号/规格:

2N6121

应用范围:

功率

材料:

硅(Si)

极性:

NPN型

结构:

平面型

封装形式:

直插型

封装材料:

塑料封装

产品信息

DESCRIPTION                                             

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: VCE(sat)= 0.6V(Max.)@IC=1.5A

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: VCEO(SUS)= 45V(Min)

·Complement to Type 2N6124

 

APPLICATIONS

·Designed for use in power amplifier and switching circuits

applications

 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Collector-Base Voltage                     

45

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage                        

45

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

5

V

IC

Collector Current-Continuous

4

A

ICM

Collector Current-Peak

8

A

IB

Base Current

1

A

PC

Collector Power Dissipation

@ TC=25

40

W

TJ

JunctionTemperature

150

Tstg

StorageTemperature Range

-65~150

 

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Rth j-c

Thermal Resistance, Junction to Case

3.125

/W

 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

MAX

UNIT

VCEO(SUS)

Collector-Emitter Sustaining Voltage

IC= 100mA ;IB=0

45

 

V

VCE(sat)-1

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= 1.5A; IB= 0.15A

 

0.6

V

VCE(sat)-2

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= 4A; IB= 1.0A

 

1.4

V

VBE(on)

Base-Emitter On Voltage

IC= 1.5A ; VCE= 2V

 

1.2

V

ICEX

Collector Cutoff Current

VCE= 45V; VBE(off)= 1.5V

VCE= 45V; VBE(off)= 1.5V ;TC= 150

 

0.1

2.0

mA

ICEO

Collector Cutoff Current

VCE= 45V;IB= 0

 

1.0

mA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB= 5V; IC= 0

 

1.0

mA

hFE-1

DC Current Gain

IC= 1.5A ; VCE= 2V

25

100

 

hFE-2

DC Current Gain

IC= 4A ; VCE= 2V

10

 

 

fT

Current-Gain—Bandwidth Product

IC= 1.0A;VCE= 4V, ftest= 1.0MHz

2.5

 

MHz

 

"