无锡固电ISC 供应2N6476三极管_无锡固电半导体股份有限公司

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产品分类

优势库存(800)普通库存(70069)三极管(211)

场效应管MOSFET(6)

MOSFET(5)

可控硅IGBT(3)

单向可控硅(晶闸管)(2)

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无锡固电ISC 供应2N6476三极管

是否提供加工定制：

是

品牌/商标：

isc

型号/规格：

2N6476

应用范围：

功率

材料：

硅(Si)

极性：

PNP型

结构：

平面型

封装形式：

直插型

封装材料：

塑料封装

询价

产品信息

DESCRIPTION

·DC Current Gain-

: h_FE= 15-150@I_C= -1.5A

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -120V(Min)

·Complement to Type 2N6474

APPLICATIONS

·Designed for general-purpose amplifier and switching

applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL	PARAMETER	VALUE	UNIT
V_CBO	Collector-Base Voltage	-130	V
V_CER	Collector-Emitter Voltage R_BE= 100Ω	-130	V
V_CEO	Collector-Emitter Voltage	-120	V
V_EBO	Emitter-Base Voltage	-5	V
I_C	Collector Current-Continuous	-4	A
I_B	Base Current	-2	A
P_D	Collector Power Dissipation @ T_C=25℃	40	W
T_J	JunctionTemperature	150	℃
T_stg	StorageTemperature Range	-65~150	℃

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL	PARAMETER	MAX	UNIT
R_{th j-c}	Thermal Resistance, Junction to Case	3.125	℃/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

T_C=25℃unless otherwise specified

SYMBOL	PARAMETER	CONDITIONS	MIN	MAX	UNIT
V_(BR)CEO	Collector-Emitter Breakdown Voltage	I_C= -100mA; I_B= 0	-120		V
V_CER	Collector-Emitter Sustaining Voltage	I_C= -100mA;R_BE= 100Ω	-130		V
V_CE(_sat_)-1	Collector-Emitter Saturation Voltage	I_C= -1.5A; I_B= -0.15A		-1.2	V
V_CE(_sat_)-2	Collector-Emitter Saturation Voltage	I_C= -4A; I_B= -2A		-2.5	V
V_BE(_on_)-1	Base-Emitter On Voltage	I_C= -1.5A; V_CE= -4V		-2.0	V
V_BE(_on_)-2	Base-Emitter On Voltage	I_C= -4A; V_CE= 2.5V		-3.5	V
I_CEV	Collector Cutoff Current	V_CE= -120V; V_BE(off)= -1.5V V_CE= -120V; V_BE(off)= -1.5V; T_C=100℃		-0.1 -2.0	mA
I_CER	Collector Cutoff Current	V_CE= -130V;R_BE= 100Ω V_CE= -130V;R_BE= 100Ω; T_C=100℃		-0.1 -2.0	mA
I_CEO	Collector Cutoff Current	V_CE= -60V; I_B= 0		-1.0	mA
I_EBO	Emitter Cutoff Current	V_EB= -5V; I_C= 0		-1.0	mA
h_FE-1	DC Current Gain	I_C= -1.5A; V_CE= -4V	15	150
h_FE-2	DC Current Gain	I_C= -4A; V_CE= -2.5V	2
C_OB	Collector Output Capacitance	I_E= 0; V_CB= -10V, f_test= 1MHz		250	pF
f_T	Current-Gain—Bandwidth Product	I_C= -0.5A; V_CE= -4V	5		MHz

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