无锡固电ISC供应2SD1545三极管_无锡固电半导体股份有限公司

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地址：无锡新区新梅路68号
传真：0510-85346300
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产品分类

优势库存(800)普通库存(70069)三极管(211)

场效应管MOSFET(6)

MOSFET(5)

可控硅IGBT(3)

单向可控硅(晶闸管)(2)

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无锡固电ISC供应2SD1545三极管

是否提供加工定制：

是

品牌/商标：

ISC

型号/规格：

2SD1545

应用范围：

功率

材料：

硅(Si)

极性：

NPN型

结构：

平面型

封装形式：

直插型

封装材料：

塑料封装

询价

产品信息

DESCRIPTION

·High Breakdown Voltage-

: V_CBO= 1500V (Min)

·High Switching Speed

·Low Saturation Voltage

APPLICATIONS

·Color TV horizontal output applications

·Switching regulator output applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL	PARAMETER	VALUE	UNIT
V_CBO	Collector-Base Voltage	1500	V
V_CEO	Collector-Emitter Voltage	600	V
V_EBO	Emitter-Base Voltage	5	V
I_C	Collector Current- Continuous	5	A
I_B	Base Current- Continuous	2.5	A
P_C	Collector Power Dissipation @ T_C=25℃	50	W
T_J	JunctionTemperature	150	℃
T_stg	StorageTemperature Range	-55~150	℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

T_C=25℃unless otherwise specified

SYMBOL	PARAMETER	CONDITIONS	MIN	TYP.	MAX	UNIT
V_CE_(sat)	Collector-Emitter Saturation Voltage	I_C= 4.0A; I_B= 0.8A			5.0	V
V_BE_(sat)	Base-Emitter Saturation Voltage	I_C= 4.0A; I_B= 0.8A			1.5	V
I_CBO	Collector Cutoff Current	V_CB= 500V ; I_E= 0			10	μA
I_EBO	Emitter Cutoff Current	V_EB= 5V ; I_C= 0			1.0	mA
h_FE	DC Current Gain	I_C= 1A ; V_CE= 5V	8
f_T	Current-Gain—Bandwidth Product	I_C= 0.1A ; V_CE= 10V		3		MHz
C_OB	Output Capacitance	I_E= 0 ; V_CB= 10V;f_test= 1.0MHz		165		pF
t_f	Fall Time	I_CP= 4A , I_B1(_end₎= 0.8A		0.5	1.0	μs

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