无锡固电ISC供应2SD2012晶体管,三极管,功率管_无锡固电半导体股份有限公司

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产品分类

优势库存(800)普通库存(70069)三极管(211)

场效应管MOSFET(6)

MOSFET(5)

可控硅IGBT(3)

单向可控硅(晶闸管)(2)

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无锡固电ISC供应2SD2012晶体管,三极管,功率管

是否提供加工定制：

是

品牌/商标：

ISC

型号/规格：

2SD2012

应用范围：

功率

材料：

硅(Si)

极性：

NPN型

结构：

平面型

封装形式：

直插型

封装材料：

塑料封装

询价

产品信息

DESCRIPTION

·High DC Current Gain-

: h_FE= 100 (Min)@ I_C= 0.5A

·Low Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 1.0V (Max)

·High Power Dissipation

: P_C= 25 W(Max)@ T_C= 25℃

APPLICATIONS

·Designed for audio frequency power amplifier

applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL	PARAMETER	VALUE	UNIT
V_CBO	Collector-Base Voltage	60	V
V_CEO	Collector-Emitter Voltage	60	V
V_EBO	Emitter-Base Voltage	7	V
I_C	Collector Current-Continuous	3	A
I_B	Base Current-Continuous	0.5	A
P_C	Collector Power Dissipation @ T_a=25℃	2.0	W
P_C	Collector Power Dissipation @ T_C=25℃	25	W
T_J	JunctionTemperature	150	℃
T_stg	StorageTemperature Range	-55~150	℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

T_C=25℃unless otherwise specified

SYMBOL	PARAMETER	CONDITIONS	MIN	TYP.	MAX	UNIT
V_(BR)CEO	Collector-Emitter Breakdown Voltage	I_C= 50mA ; I_B= 0	60			V
V_CE_(sat)	Collector-Emitter Saturation Voltage	I_C= 2A; I_B= 0.2A			1.0	V
V_BE(_on₎	Base-Emitter On Voltage	I_C= 0.5A ; V_CE= 5V			1.0	V
I_CBO	Collector Cutoff Current	V_CB= 60V ; I_E=0			0.1	mA
I_EBO	Emitter Cutoff Current	V_EB= 7V ; I_C=0			0.1	mA
h_FE-1	DC Current Gain	I_C= 0.5A ; V_CE= 5V	100		320
h_FE-2	DC Current Gain	I_C= 2A ; V_CE= 5V	20
f_T	Current-Gain—Bandwidth Product	I_C= 0.5A ; V_CE= 5V		3		MHz
C_OB	Output Capacitance	I_E= 0 ; V_CB= 10V; f_test= 1.0MHz		35		pF

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