无锡固电ISC 供应2N6535三极管_无锡固电半导体股份有限公司

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产品分类

优势库存(800)普通库存(70069)三极管(211)

场效应管MOSFET(6)

MOSFET(5)

可控硅IGBT(3)

单向可控硅(晶闸管)(2)

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无锡固电ISC 供应2N6535三极管

是否提供加工定制：

是

品牌/商标：

ISC

型号/规格：

2N6535

应用范围：

功率

材料：

硅(Si)

极性：

NPN型

结构：

平面型

封装形式：

直插型

封装材料：

金属封装

询价

产品信息

DESCRIPTION

·High DC Current Gain-

: h_FE= 500(Min.)@I_C= 3A

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

:V_CEO(SUS)= 100V(Min.)

·LowCollector-Emitter Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 3.0V(Max.)@I_C= 3A

APPLICATIONS

·Power switching

·Hammer drivers

·Series and shunt regulators

·Audio amplifiers

Absolute maximum ratings (T_a=25℃)

SYMBOL	PARAMETER	VALUE	UNIT
V_CBO	Collector-Base Voltage	100	V
V_CER	Collector-Emitter Voltage R_BE= 100Ω	100	V
V_CEV	Collector-Emitter Voltage V_BE= -1.5V	100	V
V_CEO	Collector-Emitter Voltage	100	V
V_EBO	Emitter-Base Voltage	5	V
I_C	Collector Current	8	A
I_CM	Collector Current-peak	15	A
I_B	Base Current	250	mA
P_C	Collector Power Dissipation @T_C=25℃	36	W
T_j	Junction Temperature	150	℃
T_stg	StorageTemperature Range	-65~ 150	℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

T_C=25℃unless otherwise specified

SYMBOL	PARAMETER	CONDITIONS	MIN	TYP.	MAX	UNIT
V_CEO(SUS)	Collector-Emitter Sustaining Voltage	I_C= 200mA; I_B= 0	100			V
V_CER(SUS)	Collector-Emitter Sustaining Voltage	I_C= 200mA;R_BE= 100Ω	100			V
V_CEV(SUS)	Collector-Emitter Sustaining Voltage	I_C= 200mA;V_BE= -1.5V	100			V
V_CE_(sat)-1	Collector-Emitter Saturation Voltage	I_C= 3A; I_B= 6mA			3.0	V
V_CE_(sat)-2	Collector-Emitter Saturation Voltage	I_C= 8A; I_B= 80mA			3.0	V
V_BE_(on)-1	Base-Emitter On Voltage	I_C= 3A; V_CE= 3V			2.8	V
V_BE_(on)-2	Base-Emitter On Voltage	I_C= 8A; V_CE= 3V			4.5	V
I_CEV	Collector Cutoff Current	V_CE= 100V;V_BE= -1.5V V_CE= 100V;V_BE= -1.5V;T_C= 125℃			0.5 5.0	mA
I_CEO	Collector Cutoff Current	V_CE= 100V; I_B= 0			1.0	mA
I_EBO	Emitter Cutoff Current	V_EB= 5V; I_C= 0			5	mA
h_FE-1	DC Current Gain	I_C= 3A; V_CE= 3V	500		10000
h_FE-2	DC Current Gain	I_C= 8A; V_CE= 3V	100		5000
C_OB	Output Capacitance	V_CB= 10V; I_E= 0; f= 1MHz			200	pF

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