无锡固电ISC供应2N5427 三极管_无锡固电半导体股份有限公司

非IC关键词

无锡固电半导体股份有限公司

: 卖家积分：营业执照：已审核经营模式：生产制造商所在地区：江苏无锡企业网站：
http://www.iscsemi.com

收藏本公司人气：171363

企业档案

相关证件：
会员类型：
会员年限：9年

潘小姐
电话：0510-85346300
手机：15961889150

阿库IM：
地址：无锡新区新梅路68号
传真：0510-85346300
E-mail：mdc@iscsemi.com

产品分类

优势库存(800)普通库存(70069)三极管(211)

场效应管MOSFET(6)

MOSFET(5)

可控硅IGBT(3)

单向可控硅(晶闸管)(2)

您的当前位置：无锡固电半导体股份有限公司 > 元器件产品

无锡固电ISC供应2N5427 三极管

是否提供加工定制：

是

品牌/商标：

ISC

型号/规格：

2N5427

应用范围：

功率

材料：

硅(Si)

极性：

NPN型

结构：

平面型

封装形式：

直插型

封装材料：

金属封装

询价

产品信息

DESCRIPTION

·Contunuous Collector Current-I_C= 7A

·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 1.2V(Max) @I_C= 7A

·Wide Area of Safe Operation

APPLICATIONS

·Designed for switching and wide-band amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL	PARAMETER	VALUE	UNIT
V_CBO	Collector-Base Voltage	80	V
V_CEO	Collector-Emitter Voltage	80	V
V_EBO	Emitter-Base Voltage	6	V
I_C	Collector Current-Continuous	7	A
I_B	Base Current-Continuous	1	A
P_C	Collector Power Dissipation@T_C=25℃	40	W
T_J	Junction Temperature	200	℃
T_stg	Storage Temperature	-65~200	℃

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL	PARAMETER	MAX	UNIT
R_{th j-c}	Thermal Resistance,Junction to Case	4.37	℃/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

T_C=25℃unless otherwise specified

SYMBOL	PARAMETER	CONDITIONS	MIN	MAX	UNIT
V_CEO(SUS)	Collector-Emitter Sustaining Voltage	I_C= 50mA; I_B= 0	80		V
V_CE_(sat)_-1	Collector-Emitter Saturation Voltage	I_C= 2A; I_B= 0.2A		0.7	V
V_CE_(sat)_-2	Collector-Emitter Saturation Voltage	I_C= 7A; I_B= 0.7A		1.2	V
V_BE_(sat)_-1	Base-Emitter Saturation Voltage	I_C= 2A; I_B= 0.2A		1.2	V
V_BE_(sat)_-2	Base-Emitter Saturation Voltage	I_C= 7A; I_B= 0.7A		2.0	V
I_CBO	Collector Cutoff Current	V_CB= 80V; I_E= 0		0.1	mA
I_CEX	Collector Cutoff Current	V_CE= 75V; V_BE(off)= -1.5V V_CE= 75V; V_BE(off)= -1.5V,T_C=150℃		0.1 1.0	mA
I_EBO	Emitter Cutoff Current	V_EB= 6V; I_C= 0		0.1	mA
h_FE-1	DC Current Gain	I_C= 0.5A ; V_CE= 2V	30
h_FE-2	DC Current Gain	I_C= 2A; V_CE= 2V	30	120
h_FE-3	DC Current Gain	I_C= 5A; V_CE= 2V	20
f_T	Current Gain-Bandwidth Product	I_C= 0.5A; V_CE= 10V; f=10MHz	20		MHz

无锡固电半导体股份有限公司

无锡固电半导体股份有限公司

企业档案

产品分类

无锡固电ISC供应2N5427 三极管

相关产品

产品信息