无锡固电 ISC供应2N5497 三极管_无锡固电半导体股份有限公司

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产品分类

优势库存(800)普通库存(70069)三极管(211)

场效应管MOSFET(6)

MOSFET(5)

可控硅IGBT(3)

单向可控硅(晶闸管)(2)

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无锡固电 ISC供应2N5497 三极管

是否提供加工定制：

是

品牌/商标：

ISC

型号/规格：

2N5497

应用范围：

功率

材料：

硅(Si)

极性：

NPN型

结构：

平面型

封装形式：

直插型

封装材料：

塑料封装

询价

产品信息

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 70V(Min)

·Low Saturation Voltage-

: V_{CE (}_sat₎= 1V(Max)@I_C= 3.5A

APPLICATIONS

·Designed for a wide variety of medium-power switching and

amplifier applications , such as series and shunt regulators

and driver and output stages of high-fidelity amplifiers.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL	PARAMETER	VALUE	UNIT
V_CBO	Collector-Base Voltage	90	V
V_CEV	Collector-Emitter Voltage V_BE= -1.5V	90	V
V_CER	Collector-Emitter Voltage R_BE= 100Ω	80	V
V_CEO	Collector-Emitter Voltage	70	V
V_EBO	Emitter-Base Voltage	5	V
I_C	Collector Current-Continuous	7	A
I_B	Base Current	3	A
P_C	Collector Power Dissipation @ T_a=25℃	1.8	W
P_C	Collector Power Dissipation @ T_C=25℃	50	W
T_J	JunctionTemperature	150	℃
T_stg	StorageTemperature Range	-65~150	℃

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL	PARAMETER	MAX	UNIT
R_{th j-c}	Thermal Resistance, Junction to Case	2.5	℃/W
Rth j-a	Thermal Resistance, Junction to Ambient	70	℃/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

T_C=25℃unless otherwise specified

SYMBOL	PARAMETER	CONDITIONS	MIN	MAX	UNIT
V_CEO(SUS)	Collector-Emitter Sustaining Voltage	I_C= 100mA ;I_B= 0	70		V
V_CER(SUS)	Collector-Emitter Sustaining Voltage	I_C= 100mA ;R_BE= 100Ω	80		V
V_CEV(SUS)	Collector-Emitter Sustaining Voltage	I_C= 100mA ;V_BE= -1.5V	90		V
V_CE_(sat)	Collector-Emitter Saturation Voltage	I_C= 3.5A; I_B= 0.3.5A		1.0	V
V_BE(_on₎	Base-Emitter On Voltage	I_C= 3.5A ; V_CE= 4V		1.7	V
I_CEV	Collector Cutoff Current	V_CE= 85V;V_BE= -1.5V V_CE= 85V;V_BE= -1.5V;T_C= 125℃		1.0 5.0	mA
I_CER	Collector Cutoff Current	V_CE= 70V;R_BE= 100Ω V_CE= 70V;R_BE= 100Ω; T_C= 125℃		0.5 3.5	mA
I_EBO	Emitter Cutoff Current	V_EB= 5V; I_C= 0		1.0	mA
h_FE	DC Current Gain	I_C= 3.5A ; V_CE= 4V	20	100
f_T	Current-Gain—Bandwidth Product	I_C= 0.5A ; V_CE= 4V	0.8		MHz
Switching Times
t_on	Turn-On Time	I_C= 3.5A; I_B1= -I_B2= 0.35A		5	μs
t_off	Turn-Off Time	I_C= 3.5A; I_B1= -I_B2= 0.35A		15	μs

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