无锡固电 ISC供应2N5616 三极管_无锡固电半导体股份有限公司

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产品分类

优势库存(800)普通库存(70069)三极管(211)

场效应管MOSFET(6)

MOSFET(5)

可控硅IGBT(3)

单向可控硅(晶闸管)(2)

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无锡固电 ISC供应2N5616 三极管

是否提供加工定制：

是

品牌/商标：

ISC

型号/规格：

2N5616

应用范围：

功率

材料：

硅(Si)

极性：

NPN型

结构：

平面型

封装形式：

直插型

封装材料：

金属封装

询价

产品信息

DESCRIPTION

·DC Current Gain-

: h_FE= 30-90@I_C= 2.5A

·Wide Area of Safe Operation

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 80V(Min)

·Complement to Type 2N5615

APPLICATIONS

·Designed for use in high frequency power amplifiers, audio

power amplifier and drivers.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL	PARAMETER	VALUE	UNIT
V_CBO	Collector-Base Voltage	100	V
V_CEO	Collector-Emitter Voltage	80	V
V_EBO	Emitter-Base Voltage	6	V
I_C	Collector Current-Continuous	5	A
P_C	Collector Power Dissipation@T_C=25℃	50	W
T_J	Junction Temperature	150	℃
T_stg	Storage Temperature	-65~150	℃

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL	PARAMETER	MAX	UNIT
R_{th j-c}	Thermal Resistance,Junction to Case	3.0	℃/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

T_C=25℃unless otherwise specified

SYMBOL	PARAMETER	CONDITIONS	MIN	MAX	UNIT
V_CEO(SUS)	Collector-Emitter Sustaining Voltage	I_C= 50mA ; I_B= 0	80		V
V_CE_(sat)	Collector-Emitter Saturation Voltage	I_C= 5A; I_B= 0.5A		1.5	V
V_BE_(sat)	Base-Emitter Saturation Voltage	I_C= 5A; I_B= 0.5A		2.2	V
I_CEO	Collector Cutoff Current	V_CE= 80V; I_B= 0		1.0	mA
I_CBO	Collector Cutoff Current	V_CB= 100V; I_E= 0		0.1	mA
I_EBO	Emitter Cutoff Current	V_EB= 6V; I_C= 0		0.1	mA
h_FE	DC Current Gain	I_C= 2.5A ; V_CE= 5V	30	90
f_T	Current-Gain—Bandwidth Product	I_C= 0.5A ; V_CE= 10V	60		MHz

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