无锡固电ISC供应三极管2N3740_无锡固电半导体股份有限公司

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产品分类

优势库存(800)普通库存(70069)三极管(211)

场效应管MOSFET(6)

MOSFET(5)

可控硅IGBT(3)

单向可控硅(晶闸管)(2)

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无锡固电ISC供应三极管2N3740

是否提供加工定制：

是

品牌/商标：

ISC

型号/规格：

2N3740

应用范围：

功率

材料：

硅(Si)

极性：

PNP型

结构：

平面型

封装形式：

直插型

封装材料：

金属封装

询价

产品信息

DESCRIPTION

·DC Current Gain-

: h_FE= 30-100@I_C= -250mA

·Wide Area of Safe Operation

·Collector-Emitter Saturation Voltage-

: V_CE(_sat)= -0.6 V(Max)@ I_C= -1A

APPLICATIONS

·Designed for use as drivers, switches and medium-power

amplifier and general purpose applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL	PARAMETER		VALUE	UNIT
V_CBO	Collector-Base Voltage	2N3740	-60	V
		2N3741	-80
V_CEO	Collector-Emitter Voltage	2N3740	-60	V
		2N3741	-80
V_EBO	Emitter-Base Voltage		-7	V
I_C	Collector Current-Continuous		-4	A
I_CM	Collector Current-Peak		-10	A
I_B	Base Current		-2	A
P_C	Collector Power Dissipation@T_C=25℃		25	W
T_J	Junction Temperature		200	℃
T_stg	Storage Temperature		-65~200	℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

T_C=25℃unless otherwise specified

SYMBOL	PARAMETER		CONDITIONS	MIN	MAX	UNIT
V_CEO(SUS)	Collector-Emitter Sustaining Voltage	2N3740	I_C= -100mA ; I_B= 0	-60		V
V_CEO(SUS)	Collector-Emitter Sustaining Voltage	2N3741	I_C= -100mA ; I_B= 0	-80		V
V_CE_(sat)	Collector-Emitter Saturation Voltage		I_C= -1A; I_B= -125mA		-0.6	V
V_BE(_on₎	Base-Emitter On Voltage		I_C= -250mA ; V_CE= -1V		-1.0	V
I_CEO	Collector Cutoff Current	2N3740	V_CE= -40V; I_B= 0		-1.0	mA
I_CEO	Collector Cutoff Current	2N3741	V_CE= -60V; I_B= 0		-1.0	mA
I_CEX	Collector Cutoff Current	2N3740	V_CE= -60V; V_BE(_off₎= -1.5V V_CE= -40V; V_BE(_off₎= -1.5V,T_C=150℃		-0.1 -1.0	mA
I_CEX	Collector Cutoff Current	2N3741	V_CE= -80V; V_BE(_off₎= -1.5V V_CE= -60V; V_BE(_off₎= -1.5V,T_C=150℃		-0.1 -1.0	mA
I_CBO	Collector Cutoff Current	2N3740	V_CB= -60V; I_E= 0		-0.1	mA
I_CBO	Collector Cutoff Current	2N3741	V_CB= -80V; I_E= 0		-0.1	mA
I_EBO	Emitter Cutoff Current		V_EB= -7V; I_C=0		-0.5	mA
h_FE-1	DC Current Gain		I_C= -100mA ; V_CE= -1V	40
h_FE-2	DC Current Gain		I_C= -250mA ; V_CE= -1V	30	100
h_FE-3	DC Current Gain		I_C= -500mA ; V_CE= -1V	20
h_FE-4	DC Current Gain		I_C= -1A ; V_CE= -1V	10
C_OB	Output Capacitance		I_E= 0 ; V_CB= -10V;f_test= 0.1MHz		100	pF
f_T	Current-Gain—Bandwidth Product		I_C=-0.1A ; V_CE= -10V ;f_test= 1.0MHz	3		MHz

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