2SD833 三极管_无锡固电半导体股份有限公司

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产品分类

优势库存(800)普通库存(70069)三极管(211)

场效应管MOSFET(6)

MOSFET(5)

可控硅IGBT(3)

单向可控硅(晶闸管)(2)

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2SD833 三极管

品牌/型号：

ISC/ISCSEMI/2SD833

应用范围：

放大

功率特性：

大功率

频率特性：

高频

极性：

NPN型

封装形式：

TO-220

封装材料：

塑料封装

集电极允许电流：

7（A）

集电极允许耗散功率：

40（W）

营销方式：

厂家直销

产品性质：

热销

结构：

扩散型

询价

产品信息

DESCRIPTION
·High DC Current Gain- : hFE= 4000(Min) @IC= 3A·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)=
1.5V(Max.) @ IC= 3AAPPLICATIONS·Audio power amplifiers·Relay& solenoid drivers·Motor controls·General purpose power amplifiersELECTRICAL CHARACTERISTICSTC=25℃unless otherwise specifiedSYMBOLPARAMETERCONDITIONSMINTYP.MAXUNITVCEO(SUS)Collector-Emitter Sustaining VoltageIC= 0.1A; IB= 050
VV(BR)CEOCollector-Emitter Breakdown Voltage
IC= 0.1mA; IB= 060
VV(BR)CBOCollector-Base Breakdown Voltage
IC= 0.1mA; IE= 060
VV(BR)EBOEmitter-Base Breakdown VoltageIE= 3mA; IC= 05
VVCE(sat)Collector-Emitter Saturation VoltageIC= 3A; IB= 6mA
1.5VVBE(sat)Base-Emitter Saturation VoltageIC= 3A; IB= 6mA
2.5VICBOCollector Cutoff CurrentVCB= 60V; IE=0
0.1mAIEBOEmitter Cutoff CurrentVEB= 5V; IC=0
3.0mAhFEDC Current GainIC= 3A; VCE= 3V4000

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