2SB1402 三极管_无锡固电半导体股份有限公司

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产品分类

优势库存(800)普通库存(70069)三极管(211)

场效应管MOSFET(6)

MOSFET(5)

可控硅IGBT(3)

单向可控硅(晶闸管)(2)

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2SB1402 三极管

品牌/型号：

isc/iscsemi/2SB1402

应用范围：

放大

功率特性：

小功率

频率特性：

高频

极性：

PNP型

封装形式：

TO-220Fa

封装材料：

塑料封装

集电极允许电流：

3（A）

集电极允许耗散功率：

3（W）

营销方式：

厂家直销

产品性质：

新品

结构：

扩散型

询价

产品信息

DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -120V(Min)·HighDC Current Gain-: hFE=1000(Min)@ (VCE= -3V, IC= -1.5A)APPLICATIONS·Designed for low frequency power amplifier applications.ELECTRICAL CHARACTERISTICSTj=25℃unless otherwise specifiedSYMBOLPARAMETERCONDITIONSMINTYP.MAXUNITV(BR)CEOCollector-Emitter Breakdown VoltageIC= -25mA; RBE=∞-120
VV(BR)CBOCollector-BaseBreakdownVoltageIC= -0.1mA; IE= 0-120
VV(BR)EBOEmitter-BaseBreakdownVoltageIE= -50mA; IC= 0-7
VVCE(sat)-1Collector-Emitter Saturation VoltageIC= -1.5A; IB= -3mA
-1.5VVCE(sat)-2Collector-Emitter Saturation VoltageIC= -3A; IB= -30mA
-3.0VVBE(sat)-1Base-Emitter Saturation VoltageIC= -1.5A; IB= -3mA
-2.0VVBE(sat)-2Base-Emitter Saturation VoltageIC= -3A; IB= -30mA
-3.5VICBOCollector Cutoff CurrentVCB= -100V; IE= 0
-10μAICEOCollector Cutoff CurrentVCE= -100V; RBE=∞
-10μAhFEDC Current GainIC= -1.5A; VCE= -3V1000 20000 VECFC-E Diode Forward VoltageIF= 3A
3.0V

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